引言

　　多芯片混合集成技術(shù)是實現(xiàn)瓦級LED的重要途徑之一.由于傳統(tǒng)小芯片工藝成熟,集成技術(shù)簡單,側(cè)光利用率較高(相對于大尺寸芯片),散熱效果較好(相對于傳統(tǒng)炮彈型LEDs),用鋁基板或金屬陶瓷基板集成的實用型LED產(chǎn)品已經(jīng)問世.其綜合光學(xué)性能可以與Lumileds公司的相應(yīng)瓦數(shù)的LED產(chǎn)品相比.我們提出了一種由基板+具有反射碗的散熱支架構(gòu)成的封裝新結(jié)構(gòu)(簡稱帽式結(jié)構(gòu))和用于傳統(tǒng)礦燈的T型支架以及可作為標準化的瓦級封裝結(jié)構(gòu).實驗表明,1瓦級LED的發(fā)光效率提高了80-100%,防靜電和工程化問題可以得到較好的解決.本文對新結(jié)構(gòu)和初步實驗結(jié)果作簡單的介紹.

　　新結(jié)構(gòu)

　　一,帽式結(jié)構(gòu),由具有反射碗的散熱支架+基板兩部份構(gòu)成.

　　1.散熱支架

　　具有反射碗的散熱架,其作用有三:

　　其一,反射碗(含硅基板)改善了LED的出光率,相對于市售鋁基板,流明效率約提高30%以上;

　　其二,散熱效果良好;

　　其三,縱向電極引出線,便于照明燈具的組合插接.

　　2.基板: 有三種形式,各有特點.

　　1)硅基板(如圖示)

　　硅基板由硅襯底,高導(dǎo)熱絕緣層和金屬反光導(dǎo)電層組成. 襯底基板材料為單晶硅片，具有導(dǎo)熱性能好、表面光潔度好、便于加工、 集成成本低等優(yōu)點.其主要參數(shù)如下：熱導(dǎo)率：144 w/ m .k,與鋁基板基本相同, 厚度適中,以利于導(dǎo)熱和加工,成本：每個基板 0.15元(包括加工費), 表面鍍銀：光反射率98%. 絕緣層材料選擇要考慮導(dǎo)熱性能、耐壓特性、粘附性和層厚度.實驗表明,只要該層特性和參數(shù)適中,絕緣性能良好,對散熱效果影響不大. 金屬層是導(dǎo)電層,也是反光層,要求具有良好的導(dǎo)電性能和鏡面反射效果.實驗表明,它好于一般市售的鋁基板.多個芯片混合集成其上,再貼在散熱支架上.硅基板最宊出的特點是便于在硅層上做防靜電集成和工程化.

　　2)金屬板

　　多個芯片以4x4陣列形式直接混合集成在金屬板上,再貼在散熱支架上.其特點是便于工程化.

　　3)無板

　　多個芯片以4x4陣列形式直接混合集成在散熱支架上. 其特點是散熱更好,效率更高,但工程化難度大.

　　帽式結(jié)構(gòu)的實物照片: