這種光提取效率對于一個未封裝的LED是非常重要的，原因有兩個方面。首先，LED封裝中使用的有機材料用于高強度降解，因此，不適合大功率LED。

　　其次，使用封裝材料可降低LED的亮度；這是因為，封裝材料比空氣有較高的折射率，可直接與LED發射器接觸。這就意味著，與存在空氣間隙相比，從發射器中發出的光線可以以更高角度進入封裝材料中，增加LED的“光學角度”。（對于一個典型的封裝LED而言，其亮度的降低歸因于這兩因素之一。）

　　氮化鎵（GaN ）基LED非常薄（700nm），并在其表層有一個六角形的光子晶體模式，晶格常數為455nm，深度為250nm。這種新版本LED至少可以在某種程度上勝過其它光子晶體LED，因為它非常薄，以致于LED只允許獲取極少的光學模式，這樣，研究人員就可以對產生的極少光學模式進行優化。

　　LED是由藍寶石上的多量子阱生長而成的，發射的最高波長是450納米（nm），尺寸是200×200微米。發射器下的反射器為低損耗銀制品。為了弄清楚剩余光（非提取的）的去向，研究人員做了一個模擬試驗，發現大約一半光由量子阱吸收，另外一半則由反射器吸收。（http://www.ledsmagazine.com/news/6/3/15）