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新一代GaN襯底技術 可大大提升LED制造良率

上傳人:未知

上傳時間: 2009-04-20

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  Inlustra公司目前正在擴充生產線,并已經開始接受客戶的訂單;該公司目前所提供的非極性GaN襯底,其規格為5×10mm、10×20mm,不過在未來的9到12個月內,可以將其制程擴展到2英吋。該公司的首席技術官Paul Fini在一份聲明中表示:“我們的專利外延技術可顯著減少襯底的缺陷數量,因而有助于客戶提升組件量產時的良率。”

  Inlustra的目標市場是LED相關應用領域;GaN材料對于綠色、藍色、紫色,以及超紫外光產品十分重要。“更重要的是,GaN白光LED適用于普通照明,這將成為一種高效率、無毒性的日光燈與白熾燈泡替代品;可在未來20年內節省50億桶石油。”該公司引述美國能源部的數據指出。

  GaN是LED的關鍵技術;根據Inlustra提供的資料:“GaN具有晶體結構,某些部分有強烈的方向性。該結構非極性和半極性的面引起了研究人員的濃厚興趣,希望能用以取代傳統的極性GaN的c面(c-plane);因為后者正面臨著一些基礎性的組件效率限制。與傳統GaN技術相較,非極性和半極性GaN可以顯著提高組件性能、制造良率與組件壽命。”

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