硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹：

　　長晶主要程式：

　　1、融化（MELt Down）

　　此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化復晶硅，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。

　　2、頸部成長（Neck Growth）

　　當硅融漿的溫度穩定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定（約6mm），維持此直徑并拉長10-20cm,以消除晶種內的排差（dislocation），此種零排差（dislocation-free）的控制主要為將排差局限在頸部的成長。

　　3、晶冠成長（Crown Growth）

　　長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。

　　4、晶體成長（Body Growth）

　　利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現象產生。