1引言

　　今年是發光二極管(LED)誕生40周年，但只有到5年前白光LED開發成功后，對LED進行光譜測量才提上日程。迄今，白光LED的法向發光強度已達10cd以上，光效已超過25lm/W[1]。由于它具有10萬小時的壽命，微秒級的響應時間，光效已超過白熾燈;并且體積小，結構牢固。所以繼鹵鎢燈、熒光燈之后，它成為第三代照明光源的趨勢已成為必然。目前白光LED的制造途徑主要有三種：

　　(1)利用InGaN/GaN蘭光芯片，結合激發光為黃光的熒光物質YAG復合成白光;

　　(2)利用紅、綠、蘭三基色通過各自比例的調整，復合成白光;

　　(3)在ZnSe單晶基板上形成ZnCdSe薄膜，通電后薄膜發蘭光，它與基板產生連鎖反應發出黃光，復合成白光。

　　故各種白光LED離開等能白的色品坐標，即WE(0.3333，0.3333)的差距各不相同，從而對應的色溫、色純度和顯色指數等參數也各不相同，所以對它進行光譜量測量的重要性不言而喻。

　　準確測試LED各類光電參數對改善LED的性能作用頗大，其中光譜量的測試基本上有三種方法，一是把測量光用若干塊不同波長的帶通濾光片過濾后到達光探測器，光探測器一般用光電倍增管和硅光電二極管。二是把測量光經衍射光柵分光后到達線陣CCD電荷耦合器件。三是用單色儀分光后進行測量。前面兩種方法主要用于便攜式光譜測試儀對LED進行多參數一次性快速測量，用同一結構配置的硬件測量多個參數必然降低測量精度，后一種方法計量部門運用較多，能得到高精度的測量值，但測量時間較長。對單色LED主要測定其峰值波長和半寬度(FWHM)，對白色LED主要測定其相對功率分布，從而推導出其色品坐標，主波長、色溫、色純度和顯色指數等參數，所以是光譜量測量的重點對象。

　　2單色儀使用中的一般技術

　　(1)光柵的準確對焦：目的是使被測光源的光達到光柵時能充滿光柵，以便減小光通過單色儀后的衰減率。光斑太小使出射光的信號減小，光斑尺寸超過光柵又會使這部分光變成雜散光而降低測量精度。所以入射光的配置必須符合所用單色儀的f/D數，使得與LED匹配的透鏡能使被測光正好臨界地充滿光柵。

　　(2)狹縫尺寸的設置：一般使出、入射狹縫等寬度，這時所得信號形狀為等腰三角形，否則將變成梯形甚至更復雜的形狀。狹縫的寬窄應根據被測光的強弱同步調節。狹縫的高度也要相應限制，這只能靠在出、入射狹縫前后放置各種寬度的平行光闌達到，因為單色儀一般并沒有調節狹縫高低的功能。狹縫尺寸過大會降低光譜量的純度，當儀器的最小實際帶寬不大于設置帶寬的1.2倍時，將得到最小的光譜帶寬。

　　(3)波長鼓的使用：首先，由于氣溫變化造成波長尺的熱脹冷縮，必須在紫外，可見和紅外波段定期予以校正，校正時常用發射波長的低壓汞燈、氘燈，見表1和表2所示[2]。

　　之所以在表中列出紫外和紅外波長是考慮到LED在軍用夜視儀和電器遙控器中的應用。其次，變換波長時必須由大到小或由小到大順序進行，不可來回反復，否則會造成波長示值不準確。