GaN基多量子阱藍色發光二極管實驗與理論分析
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上傳人：李為軍 上傳時間： 2009-09-11 瀏覽次數： 217 |
采用量子點模型對藍色InGaN/GaN 多量子阱發光二極管電致發光光譜進行考察，并和實驗測量結果進行了比對，結果發現，利用量子點模型計算出的自發輻射發光峰位與實驗得出的電致發光的峰位較好的符合，表明了在多量子阱發光二極管中由于InN 和GaN 相分離而形成的富In 類量子點結構，主導著InGaN 基發光二極管發光波長，體現了InGaN 基發光二極管量子點發光的本質。同時，基于量子點模型的理論討論了以合適組分的四元AlInGaN 材料取代傳統的GaN 材料作為量子阱壘層對發光二極管發光特性的影響。
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