在不同熱沉溫度下，結(jié)溫Tj隨著測(cè)試電流If增加而線性增加；

　　結(jié)點(diǎn)至銅熱沉溫差測(cè)試結(jié)果

ΔTj-sink(=Tj-Tsink)隨著測(cè)試電流If增加而呈趨于線性增加；

　　熱阻與測(cè)試電流之關(guān)系

熱阻Rj-slug隨電流增加而呈微量增加，范圍在2.4~4.1ºC/W；

　　操作溫度與光參數(shù)測(cè)試

　　光通量與結(jié)點(diǎn)溫度關(guān)系曲線

　　不同電流下，光通量隨著結(jié)溫Tj上升而呈微量下降，在If=700mA，Tj=31.0°C時(shí)(Tsink=20.0°C)，光通量為110.9lm；在If=1000mA，Tj=38.6°C時(shí)(Tsink=20.0°C)，光通量為141.2lm；

　　不同測(cè)試電流下，光效隨著結(jié)點(diǎn)溫度Tj上升而呈微量下降，在If=700mA，Tj=31.0°C時(shí)(Tsink=20.0°C)，光效為43.5lm/W；在 If=1000mA，Tj=38.6°C時(shí)(Tsink=20.0°C)，光效為36.8lm/W；

　　測(cè)試結(jié)論

　　1.本報(bào)告主要針對(duì)SEOUL大功率4WLEDemitter(W42180-TSW02)進(jìn)行熱性能測(cè)試，主要進(jìn)行結(jié)溫、熱阻、光通量及光效等測(cè)試。

　　2.本報(bào)告測(cè)試之emitter結(jié)點(diǎn)至heatslug基材底部之量測(cè)熱阻結(jié)果顯示，在If=350~1000mA及銅熱沉Tsink在20~80°C時(shí)， Rj-slug結(jié)果范圍在2.4~4.1ºC/W(SEOUL資料提供之額定最大熱阻6.9ºC/W在If=350mA，Ta=25ºC)。

　　3.該樣品在If=700mA，Tj=31.0°C時(shí)(Tsink=20.0°C)，光通量為110.9lm，光效為43.6lm/W；在If=1000mA，Tj=38.6°C時(shí)(Tsink=20.0°C)，光通量為141.2lm，光效為36.8lm/W(樣品未提供光效相關(guān)規(guī)格)。