定義

　　利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構造。帶隙較窄的層的電勢要比周圍(帶隙較寬的層)低，因此形成了勢阱(量子阱)。在LED和半導體激光器中，量子阱構造用于放射光的活性層。重疊多層量子阱的構造被稱為多重量子阱(MQW：multiquantum well)。

　　藍色LED等是通過改良量子阱構造等GaN類結晶層的構造取得進展的。GaN類LED在成為MIS(metal-insulatorsemiconductor)構造，pn接合型雙異質結構造，采用單一量子阱的雙異質結構造以及采用多重量子阱的雙異質結構造的過程中，其亮度和色純度得到了提高。采用MIS構造的藍色LED在還沒有實現(xiàn)p型GaN膜時，就被廣泛開發(fā)并實現(xiàn)了產(chǎn)品化。缺點是光強只有數(shù)百mcd。p型GaN膜被造出來之后，采用pn接合型雙異質結構造的藍色LED得以實現(xiàn)。與MIS構造相比，發(fā)光亮度達到了1cd，是前者的10倍左右。如果用多重量子阱構造來取代pn接合型雙異質結構造，發(fā)光光度和色純度會進一步提高(發(fā)光光譜的半值幅度變窄)。

　　GaN類藍色發(fā)光二極管的構造變遷

　　(a)為采用MIS(metal-insulator-semiconductor)構造的藍色LED。

　　(b)為采用多重量子阱(MQW ：multi quantum well)構造的藍色LED。

　　雙異質結構造是指在LED和半導體激光器等中，在活性層的兩側設置了能隙比活性層還要大的包覆層的構造。可獲得將電子和空穴封閉在活性層內(nèi)的效果。所以發(fā)光元件采用雙異質結構造的話，可提高光輸出。另外，只在活性層的一側設置能隙較大的包覆層的構造被稱為單異質結。

本文鏈接地址：http://www.ledth.com/news/20101231/n50773380.html