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改善LED散熱性能的相關途徑分析

上傳人:未知

上傳時間: 2011-04-01

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  解決封裝的散熱問題才是根本辦法

  溫升問題的解決辦法是減低封裝的熱阻抗;保持LED的運用生存的年限的辦法是改善芯片外形、認為合適而使用小規模芯片;改善LED的閃光速率的辦法是改善芯片結構、認為合適而使用小規模芯片;至于閃光特別的性質平均化的辦法是改善LED的封裝辦法,這些個辦法已經陸續被研發中。因為環氧氣天然樹脂借鑒波長為400~450nm的光線的百分率高達45%,硅質封裝材料則低于1百分之百,輝度減半的時間環氧氣天然樹脂不到一萬鐘頭,硅質封裝材料可以延長到四萬鐘頭左右,幾乎與照明設施的預設生存的年限相同,這意味著照明設施運用時期不需改易白光LED.然而硅質天然樹脂歸屬高彈性軟和材料,加工時不可少運用不會刮傷硅質天然樹脂外表的制造技術,這個之外加工時硅質天然樹脂極易依附粉屑,因為這個未來不可少研發可以改善外表特別的性質的技術。

  相關LED的長命化,到現在為止LED廠商采取的對策是改變封裝材料,同時將熒光材料散布在封裝材料內,特別是硅質封裝材料比傳統藍光、近紫外線LED芯片上方環氧氣天然樹脂封裝材料,可以更管用制約材質劣化與光線洞穿率減低的速度。

  改變封裝材料制約材質劣化與光線洞穿率減低的速度

  2003年東芝Lighting以前在400mm正方形的鋁合金外表,鋪修閃光速率為60lm/W低熱阻抗白光LED,無冷卻風扇等特別散熱組件前提下,試著制做光柱為300lm的LED板塊。主要端由是電流疏密程度增長2倍以上時,不惟不由得易從大型芯片抽取光線,最后結果反倒會導致閃光速率還不如低功率白光LED的窘境。依據德國OSRAM Opto Semi conductors Gmb實驗最后結果證明,上面所說的結構的LED芯片到燒焊點的熱阻抗可以減低9K/W,約是傳統LED的1/6左右,封裝后的LED給予2W的電力時,LED芯片的結合溫度比燒焊點高18K,縱然印刷電路板溫度升漲到50℃,結合溫度頂多只有70℃左右;相形之下過去熱阻抗一朝減低的話,LED芯片的結合溫度便會遭受印刷電路板溫度的影響。制約白光LED溫升可以認為合適而使用冷卻LED封裝印刷電路板的辦法,主要端由是封裝天然樹脂高溫狀況下,加上強光映射會迅速劣化,沿襲阿雷紐斯法則溫度減低10℃生存的年限會延長2倍。

  因為散熱裝置與印刷電路板之間的細致精密性直接左右導熱效果,因為這個印刷電路板的預設變得十分復雜。

  為了減低熱阻抗,很多海外LED廠商將LED芯片設置在銅與瓷陶材料制成的散熱裝置(heat sink)外表,繼續再用燒焊形式將印刷電路板的散熱用導線連署到利用冷卻風扇強迫空冷的散熱裝置上。因為東芝Lighting領有浩博的試著制做經驗,因為這個該企業表達因為摹擬剖析技術的進步提高,2006年在這以后超過60lm/W的白光LED,都可以輕松利用燈具、框體增長導熱性,或是利用冷卻風扇強迫空冷形式預設照明設施的散熱,不必特別散熱技術的板塊結構也能夠運用白光LED.

  Lumileds于2005年著手制作的高功率LED芯片,結合容許溫度更高達+185℃,比其他企業同級產品高60℃,利用傳統RF 4印刷電路板封裝時,四周圍背景溫度40℃范圍內可以輸入相當于1.5W電力的電流(約是400mA)。這也是LED廠商完全一樣認為合適而使用瓷陶系與金屬系封裝材料主要端由。縱然封裝技術準許高卡路里,然而LED芯片的結合溫度卻可能超過容許值,最終業者終于了悟到解決封裝的散熱問題才是根本辦法。

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