其中n2等于1，即空氣的折射率，n1是GaN的折射率，由此計(jì)算得到臨界角θ0約為25.8度。在這種情況下，能射出的光只有入射角≤25.8度這個(gè)空間立體角內(nèi)的光，據(jù)報(bào)導(dǎo)，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右，因此，由于芯片晶體的內(nèi)部吸收，能射出到晶體外面光線的比例很少。據(jù)報(bào)導(dǎo)，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右。同樣，芯片發(fā)出的光要透過(guò)封裝材料，傳送到空間，也要考慮材料對(duì)取光效率的影響。

　　所以，為了提高LED產(chǎn)品封裝的取光效率，必須提高n2的值，即提高封裝材料的折射率，以提高產(chǎn)品的臨界角，從而提高產(chǎn)品的封裝發(fā)光效率。同時(shí)，封裝材料對(duì)光線的吸收要小。為了提高出射光的比例，封裝的外形最好是拱形或半球形，這樣，光線從封裝材料射向空氣時(shí)，幾乎是垂直射到界面，因而不再產(chǎn)生全反射。

　　3.反射處理

　　反射處理主要有兩方面，一是芯片內(nèi)部的反射處理，二是封裝材料對(duì)光的反射，通過(guò)內(nèi)、外兩方面的反射處理，來(lái)提高從芯片內(nèi)部射出的光通比例，減少芯片內(nèi)部吸收，提高功率LED成品的發(fā)光效率。從封裝來(lái)說(shuō)，功率型LED通常是將功率型芯片裝配在帶反射腔的金屬支架或基板上，支架式的反射腔一般是采取電鍍方式提高反射效果，而基板式的反射腔一般是采用拋光方式，有條件的還會(huì)進(jìn)行電鍍處理，但以上兩種處理方式受模具精度及工藝影響，處理后的反射腔有一定的反射效果，但并不理想。目前國(guó)內(nèi)制作基板式的反射腔，由于拋光精度不足或金屬鍍層的氧化，反射效果較差，這樣導(dǎo)致很多光線在射到反射區(qū)后被吸收，無(wú)法按預(yù)期的目標(biāo)反射至出光面，從而導(dǎo)致最終封裝后的取光效率偏低。

　　我們經(jīng)過(guò)多方面的研究和試驗(yàn)，研制成一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的使用有機(jī)材料涂層的反射處理工藝，通過(guò)這種工藝處理，使得反射到載片腔內(nèi)的光線吸收很少，能將大部分射到其上面的光線反射至出光面。這樣處理后的產(chǎn)品取光效率與處理之前相比可提高30%-50%。我們目前1W白光功率LED的光效可達(dá)40-50lm/W(在遠(yuǎn)方PMS-50光譜分析測(cè)試儀器上測(cè)試結(jié)果)，獲得了很好的封裝效果。

　　4.熒光粉選擇與涂覆

　　對(duì)于白色功率型LED來(lái)說(shuō)，發(fā)光效率的提高還與熒光粉的選擇和工藝處理有關(guān)。為了提高熒光粉激發(fā)藍(lán)色芯片的效率，首先熒光粉的選擇要合適，包括激發(fā)波長(zhǎng)、顆粒度大小、激發(fā)效率等，需全面考核，兼顧各個(gè)性能。其次，熒光粉的涂覆要均勻，最好是相對(duì)發(fā)光芯片各個(gè)發(fā)光面的膠層厚度均勻，以免因厚度不均造成局部光線無(wú)法射出，同時(shí)也可改善光斑的質(zhì)量。

　　三、結(jié)論

　　良好的散熱設(shè)計(jì)對(duì)提高功率型LED產(chǎn)品發(fā)光效率有著顯著的作用，同時(shí)也是確保產(chǎn)品壽命和可靠性的前提。而設(shè)計(jì)良好的出光通道，這里著重指反射腔、填充膠等的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇和工藝處理，可以有效提高功率型LED的取光效率。對(duì)功率型白光LED來(lái)說(shuō)，熒光粉的選擇和工藝設(shè)計(jì)，對(duì)光斑的改善和發(fā)光效率的提高也至關(guān)重要。