AlGaInP LED出光效率的模擬
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上傳人：林岳明,張俊兵,曾祥華 上傳時(shí)間： 2011-08-16 瀏覽次數(shù)： 168 |
| 作者 | 林岳明,張俊兵,曾祥華 |
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| 單位 | 揚(yáng)州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,揚(yáng)州華夏集成光電有限公司 |
| 分類號(hào) | TN312.8 |
| 發(fā)表刊物 | 發(fā)光學(xué)報(bào) |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2009年02期 |
引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展與成熟,A lGaInPLED已經(jīng)在汽車、背光源、交通燈、大屏幕顯示、軍事等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,且LED有望成為新型的第四代固態(tài)照明光源,具有廣泛的應(yīng)用前景[1]?，F(xiàn)在,A lGaInP的內(nèi)部量子效率可達(dá)到90%以上;而外部量子效率受芯片結(jié)構(gòu)、窗口層的厚……
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