AlN/藍寶石模板上生長的GaN研究
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上傳人：汪萊,王磊,任凡,趙維,王嘉星,胡健楠,張辰,郝智彪,羅毅 上傳時間： 2011-08-30 瀏覽次數： 164 |
| 作者 | 汪萊,王磊,任凡,趙維,王嘉星,胡健楠,張辰,郝智彪,羅毅 |
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| 單位 | 清華大學電子工程系,集成光電子學國家重點實驗室,清華信息科學與技術國家實驗室(籌) |
| 分類號 | TN304.2 |
| 發表刊物 | 物理學報 |
| 發布時間 | 2010年11期 |
引言
近年來,GaN基材料因其在藍光發光器件和大功率電子器件上的應用而引起了廣泛的研究興趣[1—3].然而,GaN仍然面臨缺乏實用的同質襯底的困擾.藍寶石和SiC是生長GaN基發光二極管(LED)[4,5]和高電子遷移率晶體管(HEMT)[6,7]使用最普遍的襯底.和它們相比,AlN和GaN之間具有更……
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