非極性GaN用r面藍寶石襯底
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上傳人：楊新波,徐軍,李紅軍,畢群玉,程艷,蘇良碧,周國清 上傳時間： 2011-09-01 瀏覽次數： 279 |
| 作者 | 楊新波,徐軍,李紅軍,畢群玉,程艷,蘇良碧,周國清 |
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| 單位 | 中國科學院上海硅酸鹽研究所透明光功能無機材料重點實驗室,中國科學院研究生院,中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 分類號 | TN304.054 |
| 發表刊物 | 無機材料學報 |
| 發布時間 | 2009年04期 |
目前,商業上GaN薄膜外延生長的主流襯底是c面藍寶石晶體.通常,c面藍寶石襯底上生長的GaN薄膜是沿著其極性軸即c軸方向生長的,薄膜具有自發極化和壓電極化效應,導致薄膜內部產生強大的內建電場,大大地降低了GaN薄膜的發光效率[1].近年來,科研人員考慮生長方向垂直于c軸即所謂……
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