藍寶石上AlN基板的MOCVD外延生長
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上傳人：李艷炯,方亮等 上傳時間： 2011-09-02 瀏覽次數(shù)： 244 |
| 作者 | 李艷炯,方亮,趙紅,趙文伯,周勇,楊曉波,周勛 |
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| 單位 | 重慶大學物理學院;重慶光電技術(shù)研究所 |
| 分類號 | TN304.054 |
| 發(fā)表刊物 | 半導(dǎo)體光電 |
| 發(fā)布時間 | 2010年06期 |
引言
深紫外Al GaN基光電器件在污水凈化、殺菌、醫(yī)學、生化、白光照明、軍事等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[1-2]。目前,由于缺乏與高Al組分Al GaN基材料晶格相匹配的襯底,所以難以生長出高質(zhì)量高Al組分Al GaN器件結(jié)構(gòu)外延層[3-4]。理論上,最適合于高Al組分Al GaN基材料生長的是……
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