MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生長ZnO薄膜
|
上傳人：程海英,王立,方文卿,蒲勇,鄭暢達,戴江南, 江風益 上傳時間： 2011-10-18 瀏覽次數： 129 |
| 作者 | 程海英,王立,方文卿,蒲勇,鄭暢達,戴江南, 江風益 |
|---|---|
| 單位 | 南昌大學教育部發光材料與器件工程研究中心 |
| 分類號 | O484.1 |
| 發表刊物 | 南昌大學學報(理科版) |
| 發布時間 | 2006年06期 |
ZnO是一種新型的II-VI族直接帶隙寬禁帶半導體材料,其室溫禁帶寬度為3.37 eV、激子束縛能為60 meV,在紫外探測器、短波長光電器件等應用上具有很大的潛能[1-3]。ZnO薄膜的室溫光泵近紫外受激發射現象的報導[4-6],掀起了半導體發光材料領域的研究熱潮。在ZnO材料的外延制備中其……
最新評論
用戶名： 密碼：
