自從1993年Nakamura發(fā)明高亮GaN藍光LED以來，LED技術(shù)及應(yīng)用突飛猛進。究其原因有兩個方面：1)全系列RGB LED產(chǎn)生，其應(yīng)用面大大拓寬，2)白光LED產(chǎn)生，讓追求低碳時代的人們期望LED盡快成為智能化的第四代固態(tài)照明光源。雖然LED的發(fā)光效率已經(jīng)超過日光燈和白熾燈，但商業(yè)化LED發(fā)光效率還是低于鈉燈(150lm/W)。那么，哪些因素影響LED的發(fā)光效率呢?就白光LED來說，其封裝成品發(fā)光效率是由內(nèi)量子效率, 電注入效率, 提取效率和封裝效率的乘積決定的。

　　其中內(nèi)量子效率主要取決于PN結(jié)外延材料的品質(zhì)如雜質(zhì)、晶格缺陷和量子阱結(jié)構(gòu), 目前內(nèi)量子效率達60%[1]。電注效率是由P型電極和N型電極間的半導體材料特性決定的，如歐姆接觸電阻，半導體層的體電阻(電子的遷移率)。對460nm藍光(2.7eV)LED，導通電壓3.2-3.6V, 所以目前最好的電注入效率84%。但AlGaInP LEDs的大于90%。提取效率由半導體材料間及其出射介質(zhì)間的不同折射率引起界面上的反射，導致在PN發(fā)射的光不能完全逸出LED芯片。提取效率目前最大達75%[2]。封裝效率由封裝材料熒光粉的轉(zhuǎn)換效率和光學透鏡等決定的，封裝效率為60%[3]。因此目前白光LED的總效率可達23%。就LED芯片制造技術(shù)來說，它只直接影響著電注入效率和提取效率，因為內(nèi)量子效率.和封裝效率分別直接與MOCVD技術(shù)和封裝技術(shù)有關(guān)，因此本文著重介紹相關(guān)于電效率和提取效率的LED芯片技術(shù)及其發(fā)展趨勢。

　　1.改善電注入效率

　　2.改善提取效率

　　3.技術(shù)發(fā)展趨勢