WLED是半導體白色發(fā)光二極管(White light-emittingdiodes)的簡稱，是一種新型固態(tài)光源。與傳統(tǒng)的照明光源相比，WLED有許多優(yōu)點[1]，如效率高、能耗低、壽命長、體積小、響應快、無污染等，因此被喻為第四代照明光源。WLED應用前景廣闊，受到各國的高度重視。2006年日亞公司提供了100lrn/w的WLED工程制品并于當年正式投入生產(chǎn)，2008年完成了150 lm/W的產(chǎn)品研發(fā)。CREE公司生產(chǎn)出131 lm/W的WLED產(chǎn)品，發(fā)光效率高達70%左右。

　　實現(xiàn)WLED有3種方案：熒光轉(zhuǎn)換型、多芯片組合型、單芯片多量子阱型。(1)熒光轉(zhuǎn)換型：按半導體芯片發(fā)光波長為藍光或近紫外光，又劃分為2類，一種是藍光LED芯片激發(fā)黃光熒光粉組合成白光，另一種是近紫外光LED芯片激發(fā)紅、綠、藍三基色熒光粉組合成白光。(2)多芯片組合型：紅、綠、藍三基LED芯片組裝實現(xiàn)白光。(3)單芯片多量子阱型：同一半導體芯片發(fā)射多種顏色的可見光并組合成白光。

　　目前，熒光轉(zhuǎn)換型wL印是固體白光照明發(fā)展的主流。最早商業(yè)化的白光LED是日本的Nichia公司運用GaN基LED芯片所發(fā)的藍光(約450nm)激發(fā)黃色熒光粉YAG：Ces+實現(xiàn)自光，但這類白光LED由于缺少紅光區(qū)域的光譜，導致其顯色指數(shù)不好，而且其發(fā)光效率低。目前InGaN芯片的發(fā)射波長已經(jīng)移至近紫外區(qū)[2]，能為熒光粉提供更高的激發(fā)能量，進一步提高WLED的光強。由于紫外光不可見，紫外激發(fā)白光LED的顏色只能由熒光粉決定，因此顏色穩(wěn)定，顯色指數(shù)高，使用近紫外InGaN芯片和藍、黃熒光粉或者與三基色熒光粉組合來實現(xiàn)白光的方案成為目前WLED行業(yè)發(fā)展的重點。藍色熒光粉是該方案中不可缺少的成分。對應用于WLED的黃色熒光粉YAG：Ce3+和紅色熒光粉的文獻報道較多，而藍色熒光粉的研究進展報道較少。本文主要介紹可用于WLED的近紫外光激發(fā)的藍色熒光粉的研究現(xiàn)狀及進展情況。

　　1、WLED商用藍色熒光粉

　　多鋁酸鹽BaMgAllo 017;EU2+(BAM)是一種目前商用的熒光轉(zhuǎn)換型藍色熒光粉，也是目前研究最多的藍粉。BAM最初主要應用于三基色熒光燈[3]和等離子顯示(PDP)中[4]，由于其激發(fā)帶與近紫外InGaN芯片的激發(fā)光譜相匹配，現(xiàn)已應用于近紫外光激發(fā)的白色發(fā)光二極管[5’6]。

　　……