GaN基大功率白光LED的高溫老化特性
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上傳人：周舟、馮士維、張光沉、郭春生、李靜婉 上傳時間： 2013-03-29 瀏覽次數： 48 |
| 作者 | 周舟、馮士維、張光沉、郭春生、李靜婉 |
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| 單位 | 北京工業大學電子信息與控制工程學院 |
| 分類號 | TN312.8 |
| 發表刊物 | 《發光學報》 |
| 發布時間 | 2011年 |
摘要：對大功率GaN基白光LED在85℃下進行了高溫加速老化實驗。經6 500 h的老化,樣品光通量退化幅度為28%～33%。樣品的I-V特性變化表明其串聯電阻和反向漏電流不斷增大,原因可歸結為芯片歐姆接觸的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。樣品的熱特性變化顯示出各結構層熱阻均明顯增大,這是由散熱通道上各層材料的老化及焊料層出現大面積空洞引起的。分析表明,高溫老化過程中芯片和封裝材料的退化共同導致了LED的緩變失效。
1引言半導體照明是近年來全球最具發展前景的高新技術之一,隨著以GaN為代表的第三代半導體材料的興起,產品光效的迅速提升,藍光和白光發光二極管(LED)的大規模量產,其在照明領域的廣泛應用已逐漸實現[1]。2010年,Cree公司的白光LED的實驗室光效已提高到208 lm/W,而光效為132 l
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