摘要：發光二極管(LED)低的外量子效率嚴重制約了LED 的發展，本文主要介紹了提高GaN 基LED 外量子效率途徑的最新進展，包括芯片非極性面/半極性面生長技術，分布布拉格反射層(DBR)結構， 改變LED 基底幾何外形來改變光在LED 內部反射的路徑和表面粗化處理以及新近的光子晶體技術和全息技術等。并對納米壓印與SU8 相結合技術在提高LED外量子光效益方面進行了初步探索。

　　20世紀90年代中期，日本日亞化學公司的Nakamura等人經過不懈努力突破了制造藍光LED的關鍵技術。GaN基藍色LED的出現，大大擴展了LED的應用領域，從此掀開了第三代半導體材料GaN基半導體照明的革命。這是繼GaAs,InP等第二代半導體材料后出現的第三代新型半導體材料。作為一種化合物半導體材料，GaN材料具有許多Si基半導體材料所不具備的優異性能，具有禁帶寬度大、高電子漂移飽和速度、導熱性能好、化學穩定性高等優點,比較適合用于雷達、導彈、通信、潛艇、航空航天及石油、化工、鉆探、核電站等領域的電子設備,對于抗輻射、耐高溫、高頻、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁帶寬度制作的藍色、綠色、紫外發光器件和光探測器件,具有極大地發展空間和廣闊的應用市場GaN半導體材料。

......