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芯片冷卻中熱電制冷器性能的實(shí)驗(yàn)研究

上傳人:LEDth/整理

上傳時(shí)間: 2014-12-12

瀏覽次數(shù): 63

作者王衍金/羅清海/柳建祥/張鵬飛/熊 軍
單位南華大學(xué)
分類號TK124
發(fā)表刊物不詳
發(fā)布時(shí)間2011年

  0 引言

  隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度的加快和性能的提高,電子設(shè)備將朝著微型化、高頻化、結(jié)構(gòu)緊湊化方向發(fā)展。如今單枚芯片上集成的晶體管數(shù)量急劇增加,發(fā)熱功率驟增[1]。芯片單位面積上的熱流密度急劇上升,導(dǎo)致芯片局部溫度過高,產(chǎn)生熱點(diǎn)[2],出現(xiàn)熱失效現(xiàn)象,嚴(yán)重影響芯片高效、穩(wěn)定、安全運(yùn)行以及使用壽命。因此,電子冷卻技術(shù)成為影響電子設(shè)備性能的關(guān)鍵技術(shù)。

  熱電制冷技術(shù)以其無機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件、運(yùn)行無噪音、易微型化、易控制、可靠性高,以及使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)[3],被廣泛應(yīng)用于光電和電子設(shè)備的溫控。在電子設(shè)備冷卻中,熱電制冷器的性能是影響冷卻效果的主要因素。為了對電子設(shè)備冷卻中的熱電制冷器性能進(jìn)行研究,科研人員做了大量的工作。Chang等[4]研究了電子冷卻中風(fēng)冷條件下的熱電模塊制冷性能。Huang 等[5]對電子冷卻中熱負(fù)荷和制冷器電流對冷卻性能的影響進(jìn)行了分析。Zhang等[6]分析了大功率電子封裝中的熱電制冷器性能。

  本文通過實(shí)驗(yàn)分析了電子芯片冷卻中熱電制冷器的冷卻效果及其性能。

  1 熱電制冷原理

  熱電制冷(原理如圖1所示)是半導(dǎo)體材料利用帕爾貼效應(yīng)使冷端吸熱制冷,熱端放熱,同時(shí)伴隨著電流流過導(dǎo)體產(chǎn)生的焦耳熱和由溫差而產(chǎn)生的傅里葉熱,以及存在溫度梯度而產(chǎn)生的湯姆遜熱綜合作用的結(jié)果,但實(shí)際湯姆遜效應(yīng)很小,可忽略。對于一個(gè)由犖對串聯(lián)的熱電單元,通以電流犐時(shí),制冷量為

  制熱量為

  制冷系數(shù)為

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