全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。

據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC（Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發揮出GaN性能的控制IC技術。此次，為了助力各種電源系統的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能達到業界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是ROHM與Delta Electronics, Inc.（以下簡稱“臺達電子”）的子公司——專注于GaN元器件開發的Ancora Semiconductors Inc.（以下簡稱“碇基半導體”）聯合開發而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指數（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）方面，達到了業界超高水平。因此，新產品可以大大降低開關損耗，從而能夠進一步提高電源系統的效率。另外，新產品還內置ESD保護器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應用產品的可靠性。不僅如此，新產品還具有GaN HEMT器件的優勢——高速開關工作，從而有助于外圍元器件的小型化。

新產品已于2023年4月起投入量產（樣品價格 5,000日元/個，不含稅），并已開始網售，通過Ameya360、Sekorm等電商平臺均可購買。

ROHM將有助于應用產品的節能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外，除了元器件的開發，ROHM還積極與業內相關企業建立戰略合作伙伴關系并推動聯合開發，通過助力應用產品的效率提升和小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。（文：ROHM）