全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC（Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn)；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次，為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc.（以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)達(dá)電子”）的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.（以下簡(jiǎn)稱“碇基半導(dǎo)體”）聯(lián)合開發(fā)而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）方面，達(dá)到了業(yè)界超高水平。因此，新產(chǎn)品可以大大降低開關(guān)損耗，從而能夠進(jìn)一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外，新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD保護(hù)器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此，新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢(shì)——高速開關(guān)工作，從而有助于外圍元器件的小型化。

新產(chǎn)品已于2023年4月起投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格 5,000日元/個(gè)，不含稅），并已開始網(wǎng)售，通過Ameya360、Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買。

ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并不斷致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外，除了元器件的開發(fā)，ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開發(fā)，通過助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會(huì)問題貢獻(xiàn)力量。（文：ROHM）