12月20日，武漢東湖高新區（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地，選址九峰山實驗室南面，計劃明年開工，后年投用。作為總部園區，力爭在3年內引育企業100家。

據悉，九峰山實驗室是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導體產業科研及中試平臺。該總部園區將利用九峰山實驗室的工藝產線和檢測能力等資源，重點突破設計、設備、材料等產業鏈關鍵環節。

此外，光谷發布了九峰山科技園產業發展規劃，以九峰山實驗室為核心，規劃建設九峰山科技園，打造化合物半導體產業高地。根據規劃，到2035年，九峰山科技園全面建成，形成完整化合物半導體全產業鏈。目前已有天工芯測檢測中心項目、芯導傳能等6個項目團隊明確入駐上述園區意愿，潔凈室廠房需求達1.7萬平方米。除該總部園區外，圍繞九峰山科技園及周邊，光谷還布局了化合物半導體學院。

目前，以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料因其優異性能，得到了廣泛應用，發展前景光明，各地政府紛紛出臺政策，大力支持相關產業發展。

圖片來源：拍信網正版圖庫

近日，湖北省印發《湖北省新材料產業高質量發展三年行動方案（2023—2025年）》，提出到2025年，湖北省將建成全國重要的化合物半導體研發生產基地等產業集群。

與此同時，河北印發通知，將實施若干措施加快第三代半導體等行業發展。其中包括：對被評定為國家制造業單項冠軍企業或單項冠軍產品的第三代半導體企業，給予200萬元一次性資金支持；在第三代半導體關鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領域組織實施一批技術改造項目，積極爭取將在建和擬建第三代半導體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫等。

據TrendForce集邦咨詢《2023 全球SiC功率半導體市場分析報告》數據顯示，2022年全球SiC功率市場規模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%；2022年全球GaN功率市場規模約1.8億美元，至2026年可達13.3億美元，CAGR達65%。未來，在各方支持下，全國各地有望形成更多化合物半導體產業聚集區。（集邦化合物半導體Zac整理）