OLED器件制作關(guān)鍵步驟
摘要: 作為陽(yáng)極的 ITO 表面狀態(tài)好壞直接影響空穴的注入和與有機(jī)薄膜層間的界面電子狀態(tài)及有機(jī)材料的成膜性。如果 ITO 表面不清潔,其表面自由能變小,從而導(dǎo)致蒸鍍?cè)谏厦娴目昭▊鬏敳牧习l(fā)生凝聚、成膜不均勻。
A) 材料的有效使用率低
目前可供有效選擇的廠商很有限,所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)要有效的利用極昂貴的有機(jī)材料和摻雜物;目前利用率普遍低于 10 % 以下,全彩色制作過(guò)程的利用率更低。
B) 摻雜物 (Dopant) 的濃度控制難以精確
以摻雜物 0.5~1% 的低分散率而言,因整個(gè)系統(tǒng)及溫度控制和物質(zhì)本身的理化特性,使得濃度比例不容易控制,而摻雜物的濃度又是器件結(jié)構(gòu)的重要因素,這就使得量產(chǎn)過(guò)程所需的精確度和可操作性更加困難。
C) 蒸鍍速率不穩(wěn)定
蒸鍍物質(zhì)的純度和系統(tǒng)溫控的方式導(dǎo)致蒸鍍速率不穩(wěn)定。
D) 基板鍍膜的均勻度不夠
這主要還是因?yàn)檎舭l(fā)源和加熱舟設(shè)計(jì)對(duì)有機(jī)材料缺乏針對(duì)性。
E) 真空室的污染
因?yàn)椴牧侠寐什患眩栽斐蓸O大部分材料沾粘在腔壁及其它各零件上而變成粉塵即污染源,影響制造器件的產(chǎn)率。針對(duì)蒸鍍 鍍膜均勻性不夠的問(wèn)題,日本 Vieetech Japan 公司提供一套解決的方案(見下圖),它透過(guò)窄口寬底和大容量的 PBN 坩堝,提供一個(gè)在研發(fā)和量產(chǎn)上應(yīng)用的裝載有機(jī)材料時(shí)的裝置。尤其它針對(duì)有機(jī)材料而設(shè)計(jì)的 Thermoball 粒子,可以解決有機(jī)材料導(dǎo)熱不良和材料利用率低的問(wèn)題;配合二段式加熱和測(cè)溫、 PID 控溫系統(tǒng),可以做到及時(shí)的準(zhǔn)確溫度反饋并做到溫控差異在 ± 0.1 ℃ 之內(nèi),可以使蒸鍍速率穩(wěn)定;另外特殊的摻雜物 Dopant Insert 和 PID 控溫系統(tǒng),使 0.5~1 % 的摻雜物比例恒定而穩(wěn)定。
金屬電極的制作工藝
金屬電極的制作工藝要在與有機(jī)材料薄膜蒸鍍室相隔絕的真空腔室中進(jìn)行。由于金屬電極多使用低功函數(shù)的活潑金屬,在有機(jī)材料薄膜蒸鍍沉積工藝結(jié)束后 , 不要讓帶有有機(jī)材料薄膜的基板暴露在空氣中 , 將其移至金屬電極蒸鍍室。常用的金屬電極有 Mg/Ag 、 Mg:Ag/Ag 、 Li/Al 、 LiF /Al 等 , Mg/Ag 要采用共蒸發(fā)法形成薄膜 , 其他采用分層蒸發(fā)法 , 一般金屬材料的氣化溫度在 450℃ -1200℃ 高溫下 , 所以要防止金屬蒸發(fā)源熱輻射對(duì)基板上的有 機(jī)材料薄膜的不良影響 , 將基板溫度控制在 80℃ 以下。對(duì)于合金金屬電極要進(jìn)行蒸鍍后處理 , 在合金金屬電極膜上面再鍍上一層惰性金屬膜 , 如 Mg:Ag (10:1) 合金上鍍上一層銀保護(hù)層 , 使其成為 Mg:Ag /Ag, 對(duì)于 Li/Al 就成了 Li: Al /Al 。在蒸鍍有機(jī)材料薄膜和金屬薄膜時(shí)要維持 10 ?? 帕以上的真空度,否則會(huì)影響有機(jī)材料薄膜和金屬薄膜的質(zhì)量和器件的壽命。
OLED 器件防老化處理
OLED 器件的有機(jī)薄膜及金屬薄膜與水和空氣會(huì)立即氧化變壞 , 一定要采取措施避免這個(gè)問(wèn)題。可采用無(wú)機(jī)膜保護(hù)法 , 無(wú)機(jī)膜保護(hù)材料有氮化硅 , 氟化鎂 , 氧化銦等 , 采用電阻加熱法或磁控濺射法制備無(wú)機(jī)保護(hù)膜材料。在保護(hù)膜形成之后 , 將制作的器件進(jìn)行封裝 , 封裝工藝一定要在 無(wú)水無(wú)氧的惰性氣體中進(jìn)行 , 封裝材料包括粘合劑和覆蓋材料。(編輯:ZQY)
凡注明為其它來(lái)源的信息,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)及對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。
用戶名: 密碼: