日本公司推出48mW的紫外線LED燈
2008-10-23
作者：
來源：日經BP社
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摘要： 從事紫外線LED業務的日本Nitride Semiconductor開發出施加100mA電流時，光功率高達48mW的表面封裝型紫外線LED燈“NS375L-4SFG”。輸出波長為375～380nm。原產品“NS375L-7SFF”施加20mA的電流時，光功率為3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上，從原產品的280μm×280μm擴大到目前的600μm×600μm。
從事紫外線LED業務的日本Nitride Semiconductor開發出施加100mA電流時，光功率高達48mW的表面封裝型紫外線LED燈“NS375L-4SFG”。輸出波長為375～380nm。原產品“NS375L-7SFF”施加20mA的電流時，光功率為3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上，從原產品的280μm×280μm擴大到目前的600μm×600μm。
所開發的紫外線LED燈的角度為120度。外形尺寸為4.2mm×4.2mm×1.3mm。工作溫度范圍為-30～+80℃。將于2008年12月開始樣品供貨。(編輯：CBE)
表面封裝型的紫外線LED燈“NS375L-4SFG
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