Fairchild新研發的組件可提升LED照明和太陽能效率
2010-07-23
作者：未知
來源：ledinside
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摘要： Fairchild Semiconductor日前推出一款具有最大導通電阻僅17mOhm，并具備最佳質量因子的150V MOSFET組件FDMS86200，可提高LED照明、太陽能和工業設計的效率和輸出功率。
Fairchild Semiconductor日前推出一款具有最大導通電阻僅17mOhm，并具備最佳質量因子的150V MOSFET組件FDMS86200，可提高LED照明、太陽能和工業設計的效率和輸出功率。
FDMS86200 采用Fairchild Semiconductor屏蔽閘極MOSFET技術設計，具有較低的開關噪聲和振鈴噪聲，有助于降低EMI。同時采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和發熱較少的特性。
此外，FDMS86200 還擁有經改良的自體二極管，能夠藉由減少損耗來提升開關效能。
MOSFET產品系列電壓范圍為20V~1000V，封裝技術從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264。
Fairchild Semiconductor表示，其MOSFET產品系列讓DC-DC設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。(編輯：ZQY)
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