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國星光電擬投資3.7億人民幣發展新型TOPLED技術

2010-09-17 作者: 來源:LEDinside 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 國星光電現已與佛山市國土資源局簽訂了土地使用合同, 出資1717萬元購得禪城區16805.23平方米的地塊,另外,將斥資1.32億元在此建設新廠區,并將實施2.24億元新型TOPLED制造技術及產業化專案。

  近日,國星光電股份有限公司 將投資3.7億元人民幣建設新型TOPLED制造技術及產業化專案。

  國星光電現已與佛山市國土資源局簽訂了土地使用合同, 出資1717萬元購得禪城區16805.23平方米的地塊,另外,將斥資1.32億元在此建設新廠區,并將實施2.24億元新型TOPLED制造技術及產業化專案。

  新型TOPLED專案產品,是一種具有自主知識產權的采用PCB材料制造的新型TOPLED支架, 基于這種新型基板材料設計和封裝的新型TOPLED,具有高導熱性,使得器件在顯示幕、日光燈管等高密度使用狀態下具有更好的散熱性能。另外,該專案產品采用平面陣列封裝,能較大幅度的提高生產制造效率。

  目前該新型高導熱基板及基于導熱基板的器件結構已經申請1項發明專利、1項實用新型專利,基于該新型高導熱基板的H5050RGB器件已經開始試產,其他型號器件也正在開發中。

  

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