豐田中央研究所和三墾電氣分別利用以稱為NaFlux法的結(jié)晶成長法制成的GaN底板，試制出了GaN類肖特基勢壘二極管(SBD)。

　　NaFlux法是將氮?dú)?N2)噴到鈣(Ga)和鈉(Na)的混合溶液中，令氮(N)溶解制成GaN結(jié)晶。大阪大學(xué)等的研究小組將用HVPE法制成的GaN結(jié)晶用作基礎(chǔ)底板。特點是結(jié)晶成長越厚，錯位越會大幅減少。另外，NaFlux法最初是由日本東北大學(xué)多元物質(zhì)科學(xué)研究所教授山根久典開發(fā)的。

　　三墾電氣在NanoTech2010國際納米技術(shù)綜合展技術(shù)會議上現(xiàn)場演示了將試制的SBD用作LED驅(qū)動電路，并實際點亮了LED。據(jù)稱與在LED的驅(qū)動電路中采用普通硅制FRD(快恢復(fù)二極管，F(xiàn)astRecoveryDiode)時相比，LED驅(qū)動電路的效率提高了兩個百分點以上。另一方面，豐田中央研究所試制了耐壓為1kV的SBD.此次展出了試制品的說明展板。

　　此外，在現(xiàn)場展出的還有以NaFlux法制成的GaN底板。展出的產(chǎn)品以口徑為2英寸和4英寸為主。大阪大學(xué)的森勇介指出，此次是首次展出4英寸產(chǎn)品.

　　GaN底板目前正在進(jìn)行面向?qū)嵱没难芯块_發(fā)，首先以LED用途2英寸品的實用化為目標(biāo)。因設(shè)想會利用GaN底板制作藍(lán)色LED芯片，所以考慮提高藍(lán)色波長帶中的光穿透率。另一個目標(biāo)是降低電阻率。

　　關(guān)于成本方面，以4英寸產(chǎn)品實現(xiàn)3萬日元的價格是一個目標(biāo)。在LED領(lǐng)域?qū)嵱没?，下一個目標(biāo)是功率元件的采用。