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細(xì)分領(lǐng)域前景佳 晶電強(qiáng)攻紫外LED

2014-09-26 作者: 來(lái)源:中國(guó)LED網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 晶元光電聯(lián)合臺(tái)灣儀科中心,以及中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心,將先進(jìn)材料石墨烯應(yīng)用于UV-LED的制造技術(shù),預(yù)期可提升UV-LED制造技術(shù)水平,達(dá)到與美、日大廠并駕齊驅(qū)的境界,推估年產(chǎn)值可逾3.6億元新臺(tái)幣(折合人民幣約7307萬(wàn)元)。

  日前,晶元光電聯(lián)合臺(tái)灣儀科中心,以及中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心,將先進(jìn)材料石墨烯應(yīng)用于UV-LED的制造技術(shù),預(yù)期可提升UV-LED制造技術(shù)水平,達(dá)到與美、日大廠并駕齊驅(qū)的境界,推估年產(chǎn)值可逾3.6億元新臺(tái)幣(折合人民幣約7307萬(wàn)元)。

  UV-LED可應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、紙鈔識(shí)別、樹(shù)脂硬化、特殊生醫(yī)等領(lǐng)域,市場(chǎng)前景看好,但是目前高功率UV-LED均使用氧化銦錫(ITO)做為透明導(dǎo)電膜,會(huì)發(fā)生散熱不良與電流分布不均等問(wèn)題,影響其發(fā)光效率。

  儀科中心聯(lián)合晶電及中央大學(xué),取得科技部中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)管理局高科技設(shè)備前瞻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃支持,共同執(zhí)行“開(kāi)發(fā)電漿輔助高溫原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用于UV-LED”計(jì)劃,以更適合LED使用的透明電極材料石墨烯(graphene)取代氧化銦錫,希望能夠克服UV-LED發(fā)光效率降低的問(wèn)題。

  此研究的關(guān)鍵技術(shù)有二,一是要讓低溫制程 (約600℃)的石墨烯可以直接在白金薄膜上生成,以制作電極。中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心李正中教授、郭倩丞助理教授團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)石墨烯低溫制程,儀科中心則負(fù)責(zé)讓石墨烯直接在白金薄膜上生成 (此即“電漿輔助高溫原子層沉積系統(tǒng)”)。

  第二項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是讓此電極可與LED的發(fā)光層完美結(jié)合,這部分由儀科中心和晶元光電共同研發(fā)。

  這項(xiàng)合作初期將于晶光廠內(nèi)進(jìn)行測(cè)試與驗(yàn)證,待技術(shù)成熟后,將委托儀科中心與中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心技術(shù)轉(zhuǎn)移于設(shè)備廠商,進(jìn)行相關(guān)設(shè)備制造。

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