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諾獎得主天野浩:聚焦納米線LED、深紫外LED

2014-10-28 作者: 來源:日經電子 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 諾貝爾物理學獎得主天野浩2014年10月24日獲得了日本政府頒發的文化勛章,并在其任職的名古屋大學舉辦了記者見面會。天野在會上以回答記者提問的形式,介紹了自己正在進行的研究。

  諾貝爾物理學獎得主天野浩2014年10月24日獲得了日本政府頒發的文化勛章,并在其任職的名古屋大學舉辦了記者見面會。天野在會上以回答記者提問的形式,介紹了自己正在進行的研究。

  在這些研究中,天野著重強調了功率器件應用的重要性。這是因為與Si相比,GaN的帶隙大、導熱率高,具備適用于功率器件的特性,有望起到良好的節能效果。

  天野充滿信心地說:“氮化物半導體的應用不只是LED,我特別關注的是功率器件。LED為節能做出了貢獻,功率器件也將大幅推動節能,比如功率晶體管。Si雖然實現了高達95%的電力轉換效率,但依然存在5%的損失。而GaN理論上可以使這一損失降低到1/6以下。還有望起到超過LED的節能效果。我們也在開發超低耗電量的功率器件。功率器件方面,從現在開始才是關鍵時刻。在GaN功率器件領域,我認為日本現在處于領先地位,希望在這一領域引領世界的發展”。

  關注深紫外LED

  天野也介紹了在LED和半導體激光等發光元件領域的舉措。LED方面正在研究借助周期性大量設置納米級GaN線的“納米線結構”,提高發光效率。在這種結構下,每條線都可作為LED發光,因此有助于擴大發光面積,提高發光效率。

  此外還在研究波長僅為250nm~350nm左右的深紫外LED。這種LED除了殺菌用途外,預計還可應用于印刷領域。印刷領域過去使用的紫外光源的發光波長有限。因此,印刷墨水等使用的高分子材料需要配合波長來開發,既費時又費力。而LED容易調節波長,能按照高分子的特性選擇紫外LED的波長,從而可使開發變得更簡單。

  利用GaN類半導體實現紅色激光器

  不只是LED,天野還對新型半導體激光器給予了關注。GaN類半導體的LED存在電流密度過大時發光效率下降的“光效下降現象”。而半導體激光器沒有這種現象,通入的電流越大,亮度越大,效率越高。因此在照明用途,半導體激光器也引發了關注。

  激光照明備受期待的用途是汽車頭燈。雖然已有部分車型采用了激光頭燈,但溫度特性依然存在課題。因此,天野正在針對這一課題開展研究。

  除照明用途外,天野還在研究顯示器用半導體激光器,他研究的是使用GaN系半導體的紅色激光器。雖然顯示器用紅色半導體激光器已經存在,但在平視顯示器等汽車用途,“溫度特性還不夠”(天野)。因此,天野希望使用GaN類半導體解決這一問題。

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