在LED市場供過于求與景氣度不佳的背景下，UV LED與紅外線、車用照明被視為當下最有潛力的高毛利細分市場，成為廠商為爭取獲利空間積極布局的新應用領域。

　　相對于已陷入“紅海”競爭的白光LED，UV LED市場可謂一片藍海，前景不可估量。但由于UV LED技術(shù)門檻高、芯片與封裝技術(shù)還不夠成熟、商業(yè)模式尚在摸索中，導致其產(chǎn)業(yè)化進程相對緩慢。

　　隨著國家對UV LED的政策扶持力度加大，市場需求量不斷增加，一旦UV LED產(chǎn)業(yè)鏈芯片及封裝技術(shù)實現(xiàn)突破性進展，大多數(shù)企業(yè)將蜂擁而入，推動產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展。

　　高效率芯片是量產(chǎn)關(guān)鍵

　　高效率芯片的研發(fā)進展或?qū)⒊蔀閁V LED市場實現(xiàn)增長的關(guān)鍵，將直接影響UV LED的普及率。

　　紫外線殺菌的有效波長范圍可分為四個不同波段：UV-A(400-315nm)、UV-B(315-280nm)、UV-C(280-200nm)和真空紫外線(200-100nm)。真正具有殺菌作用的是UV-C紫外線，因為它很易被生物體的DNA吸收，尤其以253.7nm左右的LED紫外線為最佳。UV LED目前尚未在凈化及消毒用途領域普及的原因在于，UV-C達不到足夠的效率。

　　現(xiàn)階段，90%紫外LED應用市場主要集中在365-405nm波段，多用于固化。紫外LED對膠水的固化效果是由光引發(fā)劑材料的吸收率決定的。對大多數(shù)光引發(fā)劑材料來說，越短吸收率越高，波長要短于405nm才有較高的吸收率。從這個角度來說，理論上用于固化的紫外LED應該盡量采用短波長的LED。

　　然而，實際上由于UV-A可以采用氮化鎵(GaN)和發(fā)光效率高的銦鎵氮(InGaN)。而UV-B和UV-C的結(jié)構(gòu)都采用難以生長和發(fā)光效率低的鋁鎵氮(AlGaN)材料，不能用氮化鎵和銦鎵氮材料，因為這兩種材料會吸收紫外光，會導致UV-B和UV-C的發(fā)光效率低很多。本來UV-B和UV-C波段的LED發(fā)光效率只是UV-A的10%-20%。綜上所述，紫外LED采用較長波長的LED固化效果可能會更好。

　　雖然波長越短的紫外LED發(fā)光效率越低，但價格卻越貴。隨著波長由365nm向280nm逐漸縮短，制備難度不斷提高。現(xiàn)在，UV-B、UV-C LED價格約是UV-A LED價格的10倍，UV-A中主要應用的365nm波長LED價格是另一主要應用波長385-405nm LED的2-3倍。

　　提高內(nèi)部量子效率、量子注入效率及光提取效率，可將倒裝芯片構(gòu)造及光電子學構(gòu)造等效率提高技術(shù)直接用于UV LED。但UV LED存在源于In/AlGaN外延層的固有課題，需要從基板和結(jié)晶生長的層面推進研發(fā)，專門解決這一課題。

　　要解決這一問題，UV LED外延層的生長機制需要企業(yè)持續(xù)投入，因為它比生長普通藍光外延復雜得多，傳統(tǒng)MOCVD不適合其生長，因此需要了解其生長機制后，向MOCVD企業(yè)訂制設備，或者自主研發(fā)MOCVD設備。

　　受現(xiàn)階段紫外LED的技術(shù)限制，紫外波段選取的芯片波長越長越好。首先，紫外芯片波長越長，芯片本身的外部量子效率越高，如日本三菱電線工業(yè)與Stanley電氣以及山口大學共同發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，波長400nm的外部量子效率是380nm的近2倍。其次，使用的紫外芯片波長越長，越有利于提高熒光體的RGB轉(zhuǎn)換效率。因為紫外激發(fā)波長越大，RGB各自的波長與紫外光之間的波長差距較小。波長差距越大，波長轉(zhuǎn)換前后的光能量差也就越大。這一能量差將轉(zhuǎn)換成熱量，最終會減少轉(zhuǎn)換成光的能量。然后，紫外波長越短，其對封裝材料的要求越高，泄露的紫外光對環(huán)境的危害越大，不利于達到環(huán)保的標準。最后，目前制備近紫外芯片的技術(shù)比制備紫外和深紫外芯片的技術(shù)成熟，芯片成本也會低很多。