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LED與化合物半導體前景佳

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2017-03-22 作者: 來源:長江證券 瀏覽量: 網友評論: 0
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摘要: MicroLED為LED技術的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯網時代趨勢帶動下,MicroLED成為平板顯示界的新熱點。

  近期參加了LED與化合物行業內的各項論壇,現將參展感悟以及相關分析匯編成報告。通過參會,我們更加加深了對產業及相關上市公司的認知。

  LED:新型襯底與MicroLED是發展新動力在行業經歷瘋狂之后,LED產業逐步平穩,產業轉移、產能過剩、新技術挑戰等等因素都使得深耕LED的產業人士,特別是處于LED最大市場的中國企業家、專家不得不尋找產業的新增長點——尋找優良的襯底技術與發展MicroLED。在襯底技術方面,硅襯底材料的出現是結合了導熱性、成本低、工藝成熟等優勢的融合。發展硅襯底技術能進一步推動LED照明技術革新。

  MicroLED為LED技術的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯網時代趨勢帶動下,MicroLED成為平板顯示界的新熱點。

  化合物半導體是未來核心材料從2000年開始,化合物半導體市場逐步擴大,以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵、碳化硅為首的半導體材料應用增多。第三代半導體是以GaN、Sic與ZnO,由于其極高的光電轉化效率,多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應用范圍主要在中低功率產品,相關機構由此預估,氮化鎵半導體材料在2015年2021年期間成長率達到83%,其中電源應用占比較大,達到近60%;相比而言,碳化硅由于市場空間小,成長相對緩慢,成長率在21%左右。全球各大廠商都在布局化合物半導體產業鏈,在功率器件、射頻器件,與終端消費電子領域有極大市場。我國作為相關器件的消費大國,通過提升制造能力,正以全新姿態往化合物半導體方向布局。

  標的推薦

  1)三安光電是我國LED芯片龍頭廠商,從2014年開始布局化合物半導體。

  依靠其在LED領域對GaN技術的理解,公司能更快的轉化原有優勢,實現業務的全面布局。公司2015年公布定向增發,在化合物半導體募投項目中,以36萬片/年為核心目標,目前月產能4千片。公司對于第三代半導體材料氮化鎵有深遠戰略布局,涵蓋材料供應與設備制造兩大環節。

  2)作為我國功率器件龍頭,揚杰科技的業務覆蓋功率器件的設計、制造、封裝及產品銷售,產品包括功率二極管、整流模塊、光伏二極管、晶閘管等。公司在內生與外延方面雙向加深,定增碳化硅器件項目在進行中。


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