近期參加了LED與化合物行業(yè)內(nèi)的各項(xiàng)論壇，現(xiàn)將參展感悟以及相關(guān)分析匯編成報(bào)告。通過參會(huì)，我們更加加深了對產(chǎn)業(yè)及相關(guān)上市公司的認(rèn)知。

　　LED：新型襯底與MicroLED是發(fā)展新動(dòng)力在行業(yè)經(jīng)歷瘋狂之后，LED產(chǎn)業(yè)逐步平穩(wěn)，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、產(chǎn)能過剩、新技術(shù)挑戰(zhàn)等等因素都使得深耕LED的產(chǎn)業(yè)人士，特別是處于LED最大市場的中國企業(yè)家、專家不得不尋找產(chǎn)業(yè)的新增長點(diǎn)——尋找優(yōu)良的襯底技術(shù)與發(fā)展MicroLED。在襯底技術(shù)方面，硅襯底材料的出現(xiàn)是結(jié)合了導(dǎo)熱性、成本低、工藝成熟等優(yōu)勢的融合。發(fā)展硅襯底技術(shù)能進(jìn)一步推動(dòng)LED照明技術(shù)革新。

　　MicroLED為LED技術(shù)的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代趨勢帶動(dòng)下，MicroLED成為平板顯示界的新熱點(diǎn)。

　　化合物半導(dǎo)體是未來核心材料從2000年開始，化合物半導(dǎo)體市場逐步擴(kuò)大，以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵、碳化硅為首的半導(dǎo)體材料應(yīng)用增多。第三代半導(dǎo)體是以GaN、Sic與ZnO，由于其極高的光電轉(zhuǎn)化效率，多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應(yīng)用范圍主要在中低功率產(chǎn)品，相關(guān)機(jī)構(gòu)由此預(yù)估，氮化鎵半導(dǎo)體材料在2015年2021年期間成長率達(dá)到83%，其中電源應(yīng)用占比較大，達(dá)到近60%;相比而言，碳化硅由于市場空間小，成長相對緩慢，成長率在21%左右。全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費(fèi)電子領(lǐng)域有極大市場。我國作為相關(guān)器件的消費(fèi)大國，通過提升制造能力，正以全新姿態(tài)往化合物半導(dǎo)體方向布局。

　　標(biāo)的推薦

　　1)三安光電是我國LED芯片龍頭廠商，從2014年開始布局化合物半導(dǎo)體。

　　依靠其在LED領(lǐng)域?qū)aN技術(shù)的理解，公司能更快的轉(zhuǎn)化原有優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的全面布局。公司2015年公布定向增發(fā)，在化合物半導(dǎo)體募投項(xiàng)目中，以36萬片/年為核心目標(biāo)，目前月產(chǎn)能4千片。公司對于第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵有深遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局，涵蓋材料供應(yīng)與設(shè)備制造兩大環(huán)節(jié)。

　　2)作為我國功率器件龍頭，揚(yáng)杰科技的業(yè)務(wù)覆蓋功率器件的設(shè)計(jì)、制造、封裝及產(chǎn)品銷售，產(chǎn)品包括功率二極管、整流模塊、光伏二極管、晶閘管等。公司在內(nèi)生與外延方面雙向加深，定增碳化硅器件項(xiàng)目在進(jìn)行中。