以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。
據意法半導體介紹，Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業從硅基技術向GaN-on-silicon技術轉變，研發體積更小、能效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開關是為標準200毫米晶圓設計。
雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規批準后即可完成交易。據披露，現已簽署的并購協議還規定，在多數股權收購交易完成24個月后，意法半導體有權收購剩余的Exagan少數股權。本交易將采用可用現金支付。
意法半導體表示，Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開發規劃和業務。Exagan將繼續執行現有產品開發規劃，意法半導體將為其部署產品提供支持。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery稱，收購Exagan的多數股權是對意法半導體目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。
據了解，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發硅基氮化鎵功率切換元件制造技術。前不久，意法半導體宣布與臺積電攜手合作加速氮化鎵（GaN）制程技術的開發，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。
意法半導體汽車產品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導體在氮化鎵制程技術的加速開發與交付看到了龐大的商機，將功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產品導入市場。
