德國歐司朗公司開發(fā)出高性能藍白光LED原型硅芯片
摘要： 德國歐司朗公司(OSRAM)光電半導(dǎo)體研發(fā)人員地制造出高性能藍白光LED 原型硅芯片，氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150毫米硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍寶石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。
德國歐司朗公司(OSRAM)光電半導(dǎo)體研發(fā)人員地制造出高性能藍白光LED 原型硅芯片，氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150毫米硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍寶石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。目前，該款LED芯片已經(jīng)進入試點階段，在實際條件下接受測試。歐司朗公司表示首批硅晶圓LED芯片有望在兩年內(nèi)投放市場。
硅晶圓基板芯片與傳統(tǒng)材料芯片相比具有明顯優(yōu)點。硅在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛，可以滿足較大的晶圓直徑生產(chǎn)要求，同時硅材料具有更好的熱特性和較低廉的價格，因此硅晶圓基板芯片將成為未來LED照明市場更具吸引力和價格優(yōu)勢的選擇。此外，該款新型高性能藍白光LED的各項技術(shù)指標(biāo)也可與傳統(tǒng)藍寶石基板相媲美，經(jīng)測試藍光UX:3芯片在3.15V電壓下，照明亮度可達634毫瓦，相當(dāng)于58%的轉(zhuǎn)化效率，是1平方毫米芯片350毫安電流下LED照明獲得的較為出色的數(shù)值。
歐司朗公司該項研發(fā)活動受到了德國聯(lián)邦教研部(BMBF)《硅晶圓基板上氮化鎵 (GaNonSi)》 項目的資助。
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