APT-B5501AB倒裝芯片[廣州晶科]
摘要： APT運用自主開發的核心技術優勢，在LED產業鏈中從中游芯片位置投資，同時跨越、節省傳統LED封裝工藝與成本，直接將大功率、超大功率模組芯片產品提供給下游照明光源客戶。主要以生產功率型氮化鎵藍LED芯片和超大功率模組芯片（5W、10W、15W、30W等）為主。今天主要推薦：產品型號： APT-B5501AB-V WWW LL的1W 氮化鎵藍光LED倒裝芯片。
產品名稱：1W 氮化鎵藍光LED倒裝芯片
產品型號： APT-B5501AB-V WWW LL
APT-B5501AB-V WWW LL芯片-外觀圖
產品優勢與應用領域：
| 產品特點 | 應用領域 |
 專利倒裝技術 |
普通照明領域 |
| 專利模組技術 |
道路照明領域 |
| 超高出光效率 |
車用照明領域 |
| 高效散熱設計 |
景觀照明領域 |
| 超高可靠性能 |
高級閃光燈領域 |
| 便于客戶封裝 |
特殊照明領域 |
芯片尺寸與材料：
| 外觀圖 | 材料說明 | 尺寸說明 | ||
 |
芯片襯底 | 藍寶石 | 芯片尺寸 | 1325μm ×1325μm |
| 外延材料 | 氮化鎵 | 基板尺寸 | 1995μm ×1775μm | |
| 基體材料 | 硅 | 電極尺寸 | 99 μm ×304μm | |
| 電極材料 | 金 | 芯片厚度 | 115±5μm | |
| 凸點材料 | 金 | 基板厚度 | 250±5μm | |
| 總厚度 | 390±10μm | |||
產品光電參數說明（測試溫度：25攝氏度）：
| 項目 | 符號 | 測試電流 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
| 正向電壓 (VF) | VF | If = 350 mA | 2.8 | 3.4 | V |
| 主波長 (WLD) | λd | 450 | 465 | nm | |
| 輻射功率 (LOP) | IV | 250 | 370 | mW |
最大額定值（測試溫度25攝氏度）：
| 項目 | 符號 | APT-B5501AB-V WWW LL |
| 正向電流 | IF | 1400 mA |
| 正向脈沖電流 (1/10占空比 @1KHz) | IFP | 2000 mA |
| LED結溫 | Tj | 125 ℃ |
| 工作溫度范圍 | Topr | -40℃ to +85℃ |
| 存儲溫度范圍 | Tstg | -40℃ to +100℃ |
| 抗靜電釋放能力 (HBM模式) 注2 | ESDHBM | > 4000 V |
| 抗靜電釋放等級 (根據JESD22-A114-B) 注2 | ESDLevel | Class3A |
| 反向電壓 | VR | 注 3 |
備注:
1. 以上數據為使用Power Dome支架、無灌膠條件下裸晶測試結果，不同封裝方式得到的測試結果可能不盡相同，僅供參考;LED最大結溫允許值也與封裝方式相關;若封裝生產使用回流焊，必須保證不能在300 ℃以上溫度條件使用超過3秒;
2. 抗靜電釋放測試根據人體模型，使用RAET方式模擬靜電釋放，所有產品通過測試，符合JESD22-A114-B標準Class 3A等級。
3. 測試LED使用的反向電壓不能超過6V，否則有可能損壞產品，而且正常使用情況下，供電電源不能反接LED。
4. 由于硅基體易碎，因此強烈建議封裝打線時，盡量遠離基體邊緣，以免損壞基體。
技術工藝介紹：Flip-chip LEDs倒裝芯片技術;
倒裝芯片通常是功率芯片主要用來封裝大功率LED(>1W)，正裝芯片通常是用來進行傳統的小功率φ3～φ10的封裝。因此，功率不同導致二者在封裝及應用的方式均有較大的差別，晶科在開發和制造超高亮度、超大功率氮化鎵發光二極管(LED)及其相關產品方面，擁有自主的知識產權，擁有領先的LED芯片倒裝核心技術;
歡迎您的意見和反饋，本欄責編：Wjt@ledth.com
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外觀說明：
APT產品的外觀形貌與各部分說明如下圖：
為了方便外觀不良的影響，對這款芯片的結構說明做了如下的解釋：
APT公司Flip-chip LEDs采用專利倒裝技術，結合圖形化藍寶石襯底、高反射金屬等技術，使光輸出最大化。同時基板采用奇納二極管保護，產品全部通過了ESD(HBM模式)>4000V測試。
外觀形貌：
LEDs外觀形貌的缺陷，有可能引起產品使用過程中參數的偏差，關鍵參數偏差超出不可接受的限度，會引起產品的失效。APT實行嚴格的質量監督管理策略，對產品外觀有嚴格的監控標準，所有的產品均需要通過外觀的檢驗。為了方便使用者更好的了解并使用APT的產品，一下對LEDs的常見的外觀的形貌問題做出了詳細的解釋。
Ⅰ. 發光區顏色的不一致
APT外觀標準：合格
產生原因：
外延沉底工藝少有差異，樣品對反射光波長選擇性有所不同，從而外光上顏色不一。
影響：
不影響光電性能，APT對外延工藝有嚴格的認證體系，確保產品性能一致;
Ⅱ. 硅基板劃傷或者污染
APT外觀標準：
硅基板劃傷或者污染面積不到連接電路金屬層范圍的八分之一，合格。
產生的原因：
封裝作業中硬物劃傷，或者外來污染物粘到了LEDs表面。
影響：
符合外觀標準的產品光電性能不受影響，由于鏈接電路金屬層面積達，而且表面有鈍化層保護，輕度劃傷或者污染可以接受。
Ⅲ. 硅基板破損(正面)
APT外觀標準：
硅基板破損沒有達到連接電路金屬層，合格。
產生原因：
封裝作業中硬物夾傷或者碰撞，最常見為手工作業夾起產品時造成。
影響：
符合外觀標準的產品光電性能不受影響，若傷金屬層，存在引起漏電的可能性。
Ⅳ. 硅基板破損(背面)
APT公司外觀標準：
硅基板背面破損，舉例不超過邊長五分之一，合格。
產生原因：
運輸或者封裝作業過程中，碰撞，擠壓造成。
影響：
符合外觀標準的產品光電性能不受影響，對封裝固晶也沒有影響。
特性測試：
備注：
1. 測試結果為典型值。
可靠性測試：
| 測試項目 | 測試條件 | 測試周期 | 結論 |
| 高溫環境下工作壽命測試 | T=50℃ IF=350 mA | 1000 小時 | Note 1 |
| 室溫環境下工作壽命測試 | T=25℃ IF=350 mA | 1000 小時 | Note 1 |
| 高溫存儲測試 | 非工作狀態 ~110℃ | 1000 小時 | Note 1 |
| 低溫儲存測試 | 非工作狀態 ~ -40℃ | 1000 小時 | Note 1 |
| 高溫高濕工作壽命測試 | 85℃ / 85%RH @ 350 mA | 1000 小時 | Note 1 |
| 熱循環測試 | 125℃ ~ -40℃ (根據JESD22-A104-B標準) |
200 周期 | 通過 |
| 牢固性測試 | 1.2m高度自然下落 | 3次 | 通過 |
| 剪切力測試 | 剪切方向 | \ | ＞70MPa |
備注: 1. 對于測試樣品，經過1000小時測試周期，亮度衰減最大不超過10%，正向電壓改變最大不超過200mV。
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