由藍(lán)寶石和(11 2 2)取向半極化氮化鎵模板構(gòu)成

　　2 英寸或更大尺寸

　　適用于不同尺寸的大規(guī)模生產(chǎn)

　　優(yōu)異的材料性能、低缺陷密度、低成本

　　很小的復(fù)合襯底曲度

　　現(xiàn)在市場上廣泛使用的極化(c 平面)氮化鎵材料具有很強(qiáng)的自發(fā)壓電極化特性，這一點是許多器件性能問題的主要原因，比如內(nèi)部量子效率的減小，阱厚度的限制，高的正向電壓，載流子的溢出等等，從而嚴(yán)重削弱了材料的電光轉(zhuǎn)換效率，從根本上限制了發(fā)光效率提升。而半極化藍(lán)寶石/氮化鎵復(fù)合襯底的使用則在低成本的前提下通過削弱自發(fā)壓電極化而大幅提高發(fā)光效率。目前半極化氮化鎵襯底主要通過鋸切 HVPE 或氨熱技術(shù)生長的氮化鎵晶柱獲得，其小尺寸限制使現(xiàn)有半極化氮化鎵襯底獲得法無法滿足大尺寸、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的量產(chǎn)需求，過高的生產(chǎn)成本更使其商業(yè)化進(jìn)程幾乎為零可能。

　　塞倫光電所擁有的世界最先進(jìn)的生長方法克服了這些問題，能夠在 2 英寸或更大尺寸的藍(lán)寶石襯底上生長一層很薄的氮化鎵模板(無需緩沖層!)以構(gòu)成半極化藍(lán)寶石/氮化鎵復(fù)合襯底，其缺陷密度和材料質(zhì)量明顯優(yōu)于市場上任何類似產(chǎn)品。

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