用于AIX G5反應(yīng)器平臺的5x200mm(8吋) Gan-on-Si矽基氮化鎵技術(shù)

　　德國復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)備大廠愛思強股份有限公司(Aixtron)推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化鎵生長專用設(shè)備?；谝钥蛻魹橹行牡陌l(fā)展計劃，愛思強的研發(fā)實驗室開發(fā)了此技術(shù)并設(shè)計并制造了此產(chǎn)品，包括特別設(shè)計的反應(yīng)器硬件和制程。該產(chǎn)品現(xiàn)已作為AIX G5系列的一部分推出，因此所有現(xiàn)有的G5系統(tǒng)均可升級至這一新設(shè)備。愛思強已經(jīng)向部分關(guān)鍵客戶透露了G5+的詳情。

　　“矽基氮化鎵技術(shù)是當(dāng)今MOCVD用戶和制造商的熱門話題。”愛思強市場部副總裁Rainer Beccard博士表示，“它是很多新興功率電子器件市場領(lǐng)域的首選技術(shù)，同時在未來低成本高性能的高亮度LED產(chǎn)品制造方面擁有良好的前景。晶圓尺寸以及材料對于制造制程的成本效益至關(guān)重要，因此過渡到200 mm的標(biāo)準(zhǔn)矽晶圓，將以其獨特的成本優(yōu)勢成為未來發(fā)展的合理趨勢。”

　　“愛思強堅信在200 mm矽基氮化鎵的制程上，均勻性與良率是成功的關(guān)鍵因素，因此我們進行了一個專門的研發(fā)計劃。”愛思強副總裁兼功率電子器件項目經(jīng)理Frank Wischmeyer博士補充說，“首先，我們經(jīng)過了反復(fù)的數(shù)值模擬，從而設(shè)計出能夠與現(xiàn)有的AIX G5反應(yīng)器平臺兼容，而且足以勝任5x200 mm制程的獨特制程性能的新基本部件。”而最終實現(xiàn)的極其穩(wěn)定的制程流程提供了較其他任何MOCVD平臺更為均勻的材料特性以及更高的設(shè)備良率，同時也擁有5x200 mm的晶圓生產(chǎn)能力。

　　來自客戶的初步反饋，也印證了這一技術(shù)發(fā)展的巨大成功。很多客戶特別指出，所有5x200 mm晶圓具有完全旋轉(zhuǎn)對稱的均勻形狀、標(biāo)準(zhǔn)厚度的矽基襯底以及嚴(yán)格可控的晶圓彎曲度，均完全符合他們所需的矽質(zhì)生產(chǎn)需要。Wischmeyer博士介紹說：“這樣均勻一致的生產(chǎn)能力，一直以來都是愛思強行星式反應(yīng)器®技術(shù)的獨有優(yōu)勢，如今也可以成功應(yīng)用到200 mm矽基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)上。”