用于AIX G5反應器平臺的5x200mm(8吋) Gan-on-Si矽基氮化鎵技術

　　德國復合半導體設備大廠愛思強股份有限公司(Aixtron)推出最新產品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應器平臺提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化鎵生長專用設備?；谝钥蛻魹橹行牡陌l展計劃，愛思強的研發實驗室開發了此技術并設計并制造了此產品，包括特別設計的反應器硬件和制程。該產品現已作為AIX G5系列的一部分推出，因此所有現有的G5系統均可升級至這一新設備。愛思強已經向部分關鍵客戶透露了G5+的詳情。

　　“矽基氮化鎵技術是當今MOCVD用戶和制造商的熱門話題。”愛思強市場部副總裁Rainer Beccard博士表示，“它是很多新興功率電子器件市場領域的首選技術，同時在未來低成本高性能的高亮度LED產品制造方面擁有良好的前景。晶圓尺寸以及材料對于制造制程的成本效益至關重要，因此過渡到200 mm的標準矽晶圓，將以其獨特的成本優勢成為未來發展的合理趨勢。”

　　“愛思強堅信在200 mm矽基氮化鎵的制程上，均勻性與良率是成功的關鍵因素，因此我們進行了一個專門的研發計劃。”愛思強副總裁兼功率電子器件項目經理Frank Wischmeyer博士補充說，“首先，我們經過了反復的數值模擬，從而設計出能夠與現有的AIX G5反應器平臺兼容，而且足以勝任5x200 mm制程的獨特制程性能的新基本部件。”而最終實現的極其穩定的制程流程提供了較其他任何MOCVD平臺更為均勻的材料特性以及更高的設備良率，同時也擁有5x200 mm的晶圓生產能力。

　　來自客戶的初步反饋，也印證了這一技術發展的巨大成功。很多客戶特別指出，所有5x200 mm晶圓具有完全旋轉對稱的均勻形狀、標準厚度的矽基襯底以及嚴格可控的晶圓彎曲度，均完全符合他們所需的矽質生產需要。Wischmeyer博士介紹說：“這樣均勻一致的生產能力，一直以來都是愛思強行星式反應器®技術的獨有優勢，如今也可以成功應用到200 mm矽基氮化鎵晶圓的生產上。”