2012，襯底也瘋狂
摘要： 硅襯底取得突破性進展，SiC襯底芯片光效快速提升，而藍寶石襯底因產(chǎn)能過剩價格下跌而備顯競爭力。2012，襯底也瘋狂。新世紀LED網(wǎng)評測室特對LED襯底2012年三雄逐鹿天下的歷程進行盤點，以供參考。
2012年5月10日——普瑞光電公司與東芝公司宣布，在年初兩家公司達成合作協(xié)議短短幾個月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米，在電壓低于3.1V電流350mA時發(fā)射功率達 614mW。
“我們用硅襯底制作芯片，一旦成功，意味著芯片的制造成本可以降低70%。”普瑞光電商業(yè)發(fā)展副總裁柴燕博士對于未來硅襯底的市場前景非常樂觀。
2012年6月12日——晶能光電(江西)有限公司新一代硅基大功率LED芯片產(chǎn)品發(fā)布會在廣州香格里拉大酒店舉行。晶能光電此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在內(nèi)的四款硅基大功率芯片，發(fā)光效率已超過120lm/W。這是晶能光電繼3年前實現(xiàn)硅基小功率LED芯片規(guī)模化量產(chǎn)以后，在硅基LED技術領域取得的又一重大進展。
晶能光電CEO王敏透露，公司計劃在12個月內(nèi)把目前2寸的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到6寸，6寸硅基LED計劃在2013年可實現(xiàn)量產(chǎn)。
2012年7月24日，愛思強股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應器平臺提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設備。
愛思強表示硅基氮化鎵技術是很多新興功率電子器件市場領域的首選技術，同時在未來低成本高性能的高亮度LED產(chǎn)品制造方面擁有良好的前景。芯片尺寸以及材料對于制造工藝的成本效益至關重要，因此過渡到200 mm的標準硅芯片，將以其獨特的成本優(yōu)勢成為未來發(fā)展的合理趨勢。
2012年12月15日——東芝公司宣布將開始銷售白色LED封裝產(chǎn)品，東芝與Bridgelux, Inc.共同開發(fā)出在200mm(8英寸)硅晶圓上制造氮化鎵LED的工藝，而東芝目前已將該工藝運用到日本北部一家分立器件制造廠——加賀東芝電子公司的新生產(chǎn)線上。這意味著8寸硅基氮化鎵LED芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。
除此之外，飛利浦、三星也均在硅襯底方面展開研究，而三星更是一開始就瞄準了8英寸大尺寸的直接入手……可以預言，由硅襯底引發(fā)的半導體照明核心技術的競爭正在全球掀起。
【導航】
第七頁：獨家觀點
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