芯片固晶空洞率

　　我們先來看看采用共晶工藝制備的兩款樣品共晶層X-Ray檢測成像對比圖片

　　鴻利光電樣品

　　品牌C樣品

　　共晶工藝是利用多種金屬在共晶溫度下熔融形成共晶合金，從而將LED芯片焊接在基板或支架上，采用共晶工藝的大功率LED器件可以滿足更加嚴(yán)酷的使用環(huán)境要求，在汽車照明等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。我們可以通過共晶空洞的測試反映其焊接工藝的穩(wěn)定性和可靠性。

　　阿拉丁評測室：此次X-Ray檢測設(shè)備檢測精度為1um，從圖片看，二者共晶焊表現(xiàn)相當(dāng)，空洞較小。而且可以看出，品牌C芯片的共晶焊接面積大，相對散熱也會更好。

　　光通量/光效隨電流變化特性

　　(注：測試數(shù)據(jù)由香港科大LED工研中心提供)

　　一般來說，LED光通量在安全工作范圍內(nèi)與正向偏置電流成正比但非線性關(guān)系，電流越大斜率越小;而光效則在其峰值之后與正向電流近似反比關(guān)系。

　　阿拉丁評測室：在正向電流測試范圍內(nèi)，鴻利光電光通量和光效值稍高于品牌C，但鴻利光電參數(shù)曲線斜率稍大于品牌C。

　　光通量/光效隨環(huán)境溫度變化特性

　　(注：測試數(shù)據(jù)由香港科大LED工研中心提供)

　　阿拉丁評測室：測試初始時(shí)間段，鴻利光電在光通量和光效方面均稍高于品牌C樣品，并且不管光通量還是光效值上都表現(xiàn)突出，隨著溫度的上升，鴻利光電樣品的光通量及光效值下降幅度稍高于品牌C樣品，環(huán)境溫度升至85℃左右，二者瞬態(tài)值均趨于相同。隨著溫度進(jìn)一步上升，品牌C光通量及光效表現(xiàn)相對較穩(wěn)定。尤其值得注意的是，光效方面，品牌C在環(huán)境溫度達(dá)到40℃之前，甚至有一段小幅上升的過程，之后保持緩慢的下降趨勢，鴻利光電的樣品同樣有類似的上升曲線，但幅度相對而言要小得多。

　　由此可見，鴻利光電樣品在光通量和光效瞬態(tài)值上占有一定優(yōu)勢，而且已經(jīng)顯現(xiàn)出直追國際大廠的水平。但在穩(wěn)定性上，品牌C樣品表現(xiàn)則更突出一些。

　　結(jié)語：汽車照明的市場已經(jīng)逐步引起國內(nèi)廠商的關(guān)注。從評測數(shù)據(jù)來看，鴻利光電的這款2525封裝樣品在光效、光通量等方面瞬態(tài)參數(shù)值上表現(xiàn)優(yōu)秀，顯示出直追國際品質(zhì)的態(tài)勢，不過受晶片差異的影響，部分參數(shù)瞬態(tài)值和穩(wěn)態(tài)值也會出現(xiàn)差異，穩(wěn)定性表現(xiàn)則會相對較弱。另外，這款基于共晶工藝的封裝器件在空洞等方面與品牌C表現(xiàn)相差無幾，所以總體來說，鴻利光電這款樣品已經(jīng)體現(xiàn)出接近國際一線品牌的封裝工藝水平。

　　最后，感謝佛山市香港科技大學(xué)LED-FPD工程技術(shù)研究開發(fā)中心各位同事的配合與支持。