波蘭Top GaN公司制作GaN單晶襯底
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上傳人：Tom 上傳時(shí)間： 2004-07-12 瀏覽次數(shù)： 172 |
TopGaN采用相當(dāng)極端的生長條件制作GaN單晶襯底，它采用15000atm壓力和1600攝氏度的高溫。每次可以生產(chǎn)20-30片直徑為10mm的晶片，其位錯(cuò)密度只有大約100cm-2。該項(xiàng)技術(shù)并不是為了生長大批量的外延片，而是用于某些特殊用途，例如腔為15 µm x 500 µm，功率為1.89 W的激光二極管已經(jīng)由該襯底做出，目前是功率最大的氮化物激光二極管。然而，TopGaN還不能將這種技術(shù)擴(kuò)展到2英寸片。作為替代，它開始用MOVPE技術(shù)在2英寸藍(lán)寶石襯底上生長5um厚的GaN層，采用側(cè)向外延(ELOG)技術(shù)。
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