1. 背景：芯片廠擴產(chǎn)

　　按照晶元公司的預測，（1）如果LED液晶電視占液晶電視市場份額的10%，則目前全世界的LED芯片廠的產(chǎn)能將供不應求（這一預測現(xiàn)在已被證實）；（2）照明市場更大，如果全世界的白熾燈100%的被LED燈替換，則LED照明對LED芯片的需求是LED液晶電視對LED芯片的需求的100倍，即使10%的白熾燈被LED燈替換，對LED芯片的需求也是LED液晶電視需求的10倍。比較樂觀的估計是，在未來1至2年內(nèi)，LED將大舉進入照明。

　　因此，一方面，各個LED芯片公司都在擴產(chǎn)，另一方面，其他資金也大量進入LED芯片產(chǎn)業(yè)。例如，韓國的三星公司采購了大量的外延設備MOCVD。

　　瓶頸在于，外延設備廠的擴產(chǎn)速度有限（據(jù)報道，世界兩大MOCVD生產(chǎn)廠家預計到今年底，產(chǎn)能增加1倍），藍寶石襯底廠的擴產(chǎn)速度有限（目前，合格的藍寶石襯底的生產(chǎn)廠家的數(shù)量屈指可數(shù)）。外延設備廠和藍寶石襯底廠的擴產(chǎn)速度遠遠達不到LED照明對LED芯片的需求的增加的速度。其他的芯片設備和原材料的供應都會出現(xiàn)緊張。

　　如何在未來的幾年內(nèi)擴大設備廠的產(chǎn)能和原材料廠的產(chǎn)能以滿足LED照明對LED芯片的需求呢？

2. 一種緩解的方法：大電流驅(qū)動的LED芯片

　　緩解的方法之一是：研發(fā)并在1至2年內(nèi)生產(chǎn)可以采用大電流驅(qū)動的LED芯片，使得一個芯片發(fā)出的光通量相當于數(shù)個傳統(tǒng)的LED芯片的光通量。

　　大電流驅(qū)動的LED芯片的優(yōu)勢如下：

（1）相當于LED芯片的價格降低到原有芯片的幾分之一，更有利于LED照明的推廣。
（2）相當于現(xiàn)有產(chǎn)能提高了幾倍，而沒有增加極其昂貴的設備投資，降低風險。
（3）提高了新擴產(chǎn)的設備的生產(chǎn)能力。

　　為了更直觀的理解這一緩解的方法，引入兩種芯片產(chǎn)能的定義：

（A）“芯片產(chǎn)能”。

（B）“lm產(chǎn)能”，即，采用lm數(shù)量來計算芯片廠的產(chǎn)能，因為照明燈具的要求是采用lm（或lux）數(shù)來計算，而不是燈具所使用的芯片的數(shù)量來計算，這有些像發(fā)電廠的產(chǎn)能是按發(fā)電量計算的一樣。

　　例如，一個芯片廠的“芯片產(chǎn)能”是：月產(chǎn)100 kk的45mil芯片。

　　如果每個芯片封裝后在350mA驅(qū)動下發(fā)出100 lm的光，可以說該廠的“lm產(chǎn)能”是10 kkk lm。但是，如果每個芯片封裝后在更大電流驅(qū)動下發(fā)出300 lm的光，可以說該廠的“lm產(chǎn)能”是30 kkk lm。然而，按照350mA驅(qū)動的100 lm的LED芯片，為了達到30 kkk lm的“lm產(chǎn)能”，則需要的“芯片產(chǎn)能”是：月產(chǎn)300 kk的350mA驅(qū)動的45mil芯片。

　　對于上面的例子，這相當于：

（1）大電流驅(qū)動的芯片的每lm光通量的成本減低到原來的1/3；
（2）芯片廠家的“lm產(chǎn)能”提高了3倍，但是，芯片廠家的“芯片產(chǎn)能”沒有增加，因而，沒有增加數(shù)目巨大的設備投資，節(jié)省了擴產(chǎn)月產(chǎn)200 kk 的“芯片產(chǎn)能”的巨額投資；
（3）也節(jié)省了月產(chǎn)200 kk的350mA驅(qū)動的芯片的外延生長和芯片工藝的原材料費用。

　　即緩解了對設備廠商的壓力，也緩解了對原材料（包括藍寶石襯底）的需求。

　　如果能采用更大的電流（例如，數(shù)安培量級的電流）驅(qū)動，則優(yōu)勢更大。

　　韓國的三星公司采購了大量的外延設備這一消息被多次引用，但是，沒有引起廣泛注意的是，三星公司正在與他人合作研發(fā)大電流驅(qū)動LED芯片，并且已在外延層面進行了專利布局。屆時，不但三星公司的外延設備的“芯片產(chǎn)能”大的驚人，其“lm產(chǎn)能”則更是驚人——數(shù)倍于350mA驅(qū)動的LED芯片的“lm產(chǎn)能”。沒有大電流驅(qū)動芯片的技術的廠家則更難望其項背。

3. 大電流驅(qū)動的LED芯片的發(fā)展

　　據(jù)透露，Cree公司的1.5A電流驅(qū)動的芯片正在進行老化試驗，截至目前，6000小時只衰減7%。

　　我們知道：可以用大電流驅(qū)動的LED芯片必須在：（A）外延層面、（B）芯片層面、（C）封裝層面，滿足下面的條件：

（A）外延層面：關鍵的問題是要解決在大電流驅(qū)動時芯片的量子效率下降（efficiency droop）問題。一些公司正在研發(fā)解決效率下降的方法。例如，美國佛吉尼亞大學公開了試驗結果：采用摻雜鎂的InGaN 阻擋層代替無摻雜的GaN 阻擋層，在900A/cm2電流密度下（相當于采用9A電流驅(qū)動1mm2芯片），得到最大的外量子效率。作為對比，目前市場上的常見的大功率1mm2的LED芯片的電流密度只有35A/cm2。最近，該大學公開了他們對大電流驅(qū)動的非極化LED的研發(fā)結果（見圖1）。