AlGaInP紅光垂直結構超高亮度LED芯片研制
|
上傳人：夏偉 上傳時間： 2009-09-03 瀏覽次數： 275 |
由于DBR反射層只對法線方向較小角度內（通常qDBR＜20°）的光線能有效反射，其它遠離法向入射的光線絕大部分都被GaAs襯底吸收，因而提升光效的效果有限。
為了提高發光效率，人們開始進行其它襯底代替GaAs吸收襯底的研究。其中一種方法就是用對可見光透明的GaP襯底取代GaAs襯底（TS），即用鍵合技術將長有厚GaP窗口層的外延層結構粘接在GaP襯底上，并腐蝕掉GaAs襯底，其發光效率可提高一倍以上，同時GaP的透明特性使得發光面積大增。然而，該工藝存在合格率低、使用設備復雜、制造成本高的缺點。近年來，臺灣開始進行了倒裝襯底AlGaInP紅光芯片的制作研究，由于工藝適于批量化生產，且制造成本低，引起人們的廣泛興趣。
垂直芯片結構及工藝
本文介紹了我公司進行的AlGaInP紅光垂直結構超高亮度LED芯片制作方法。首先進行MOCVD外延，再以高熱導率Si、SiC、金屬等材料作為襯底，將LED外延層粘接在其上并制成芯片。其結構為：
圖1：高熱導率鏡面襯底高亮度LED結構
用戶名： 密碼：
