磊晶的方法，基板的選擇非常苛刻，需要有配合量子點晶格的性質，而且其形成的速度非常緩慢(例如每小時數微米;μm/hr)，單位面積覆蓋的密度非常低，尚需真空設備進行必須的制程。

　　化學方法形成的發(fā)光奈米膠體粒子有下列好處：(1)可以大量生產并分散在溶劑中，為溶液態(tài);(2)可以用習知的涂布方法如噴霧、浸漬或旋轉涂布。涂布法在任何基板上可以瞬間成膜;(3)速度可達每秒數微米(μm/sec)，可增加千倍的速度，以形成高密度、大面積之二極管，而其面積只受限于基板的面積。

　　我們提供一種制程以均一大小顆粒的膠體氧化物、半導體、或者高分子發(fā)光奈米粒子制作高品質、窄頻寬的發(fā)光體。本制程利用膠體發(fā)光奈米粒子可以均勻地分散在液體中，再使用簡便的薄膜制作法如噴霧、浸漬、或者涂布將奈米粒子均勻加工在任何形狀、尺寸、種類的基材上，進而作成價廉、大面積、可復性、以及高效能的發(fā)光體。

　　我們已用CdS膠體奈米證明此制程的可行性，圖一顯示發(fā)光二極管可由CdS奈米粒子以旋轉涂布法置于硅芯片上，加上Cr/Au電極制成。圖二顯示此二極管的綠光光譜。

　　關鍵圖式：

圖一　CdS奈米粒子在硅芯片上制作發(fā)光二極管的結構圖

圖二　CdS奈米粒子發(fā)光二極管的電致發(fā)光光譜