圖1：采用氧化物半導體IGZO材料的TFT12.1英寸OLED面板

　　韓國三星SDI開發出了采用氧化物半導體IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT12.1英寸OLED面板，并在“SID 2008”上公布了技術細節（演講序號：3.1）。該面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半導體的有源矩陣型TFT陣列和OLED元件。

　　此次開發的OLED面板的像素為1280×768像素（WXGA），分辨率為123ppi（圖1）。亮度為300cd/m2，對比度為2萬：1。采用底部發光結構，光從TFT底板側取得。OLED材料采用的是低分子材料。但紅色用磷光材料，綠色和藍色采用熒光材料。

圖2：所開發產品的面板結構

　　TFT的掩膜數量為7片（圖2）。像素間距為69μm×207μm，像素電路由2個TFT和1個電容器構成。采用底柵結構，柵極、源極及漏極的電極材料采用Mo，柵極絕緣膜采用SiOx/SiNx，并使用了現有的光刻制造技術。IGZO TFT的遷移率為17.2cm2s，開關比為108以上，亞閾值斜率（S值）為0.28V/decade。

圖3：與非晶硅及低溫多結晶硅的比較

　　三星SDI指出，采用IGZO的TFT其優勢在于可以著手量產大尺寸玻璃底板（圖3）。使用此次的TFT制作方法，甚至可以支持第8代底板。