1.3 關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新性

　　用Si作GaN發(fā)光二極管襯底，雖然使LED的制造成本大大降低，也解決了專利壟斷問題，然而與藍寶石和SiC相比，在Si襯底上生長GaN更為困難，因為這兩者之間的熱失配和晶格失配更大，Si與GaN的熱膨脹系數(shù)差別也將導致GaN膜出現(xiàn)龜裂，晶格常數(shù)差會在GaN外延層中造成高的位錯密度；另外Si襯底LED還可能因為Si與GaN之間有0.5 V的異質(zhì)勢壘而使開啟電壓升高以及晶體完整性差造成p型摻雜效率低，導致串聯(lián)電阻增大，還有Si吸收可見光會降低LED的外量子效率。因此，針對上述問題，深入研究和采用了發(fā)光層位錯密度控制技術(shù)、化學剝離襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)、高可靠性高反光特性的p型GaN歐姆電極制備技術(shù)及鍵合技術(shù)、高出光效率的外延材料表面粗化技術(shù)、襯底圖形化技術(shù)、優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)芯片設(shè)計技術(shù)，在大量的試驗和探索中，解決了許多技術(shù)難題，最終成功制備出尺寸1 mm×1 mm，350 mA下光輸出功率大于380 mW、發(fā)光波長451 nm、工作電壓3.2 V的藍色發(fā)光芯片，完成課題規(guī)定的指標。采用的關(guān)鍵技術(shù)及技術(shù)創(chuàng)新性有以下幾個方面。

　　(1)采用多種在線控制技術(shù)，降低了外延材料中的刃位錯和螺位錯，改善了Si與GaN兩者之間的熱失配和晶格失配，解決了GaN單晶膜的龜裂問題，獲得了厚度大于4 μm的無裂紋GaN外延膜。

　　(2)通過引入AIN，AlGaN多層緩沖層，大大緩解了Si襯底上外延GaN材料的應力，提高了晶體質(zhì)量，從而提高了發(fā)光效率。

　　(3)通過優(yōu)化設(shè)計n-GaN層中Si濃度結(jié)構(gòu)及量子阱／壘之間的界面生長條件，減小了芯片的反向漏電流并提高了芯片的抗靜電性能。

　　(4)通過調(diào)節(jié)p型層鎂濃度結(jié)構(gòu)，降低了器件的工作電壓；通過優(yōu)化p型GaN的厚度，改善了芯片的取光效率。

　　(5)通過優(yōu)化外延層結(jié)構(gòu)及摻雜分布，減小串聯(lián)電阻，降低工作電壓，減少熱產(chǎn)生率，提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性。

　　(6)采用多層金屬結(jié)構(gòu)，同時兼顧歐姆接觸、反光特性、粘接特性和可靠性，優(yōu)化焊接技術(shù)，解決了銀反射鏡與p-GaN粘附不牢且接觸電阻大的問題。

　　(7)優(yōu)選了多種焊接金屬，優(yōu)化焊接條件，成功獲得了GaN薄膜和導電Si基板之間的牢固結(jié)合，解決了該過程中產(chǎn)生的裂紋問題。

　　(8)通過濕法和干法相結(jié)合的表面粗化，減少了內(nèi)部全反射和波導效應引起的光損失，提高LED的外量子效率，使器件獲得了較高的出光效率。

　　(9)解決了GaN表面粗化深度不夠且粗化不均勻的問題，解決了粗化表面清洗不干凈的難題并優(yōu)化了N電極的金屬結(jié)構(gòu)，在粗化的N極性n-GaN表面獲得了低阻且穩(wěn)定的歐姆接觸。

　　2 Si襯底LED封裝技術(shù)

　　2.1 技術(shù)路線

采用藍光LED激發(fā)YAG／硅酸鹽／氮氧化物多基色體系熒光粉，發(fā)射黃、綠、紅光，合成白光的技術(shù)路線。