電子信息技術(shù)是當(dāng)今世界最活躍的生產(chǎn)力，電子信息技術(shù)的核心是半導(dǎo)體材料。化合物半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的產(chǎn)生與發(fā)展，是電子信息技術(shù)領(lǐng)域的一場(chǎng)革命，在理論上，引入了全新的思想和設(shè)計(jì)，在實(shí)踐上，由于其展示的優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)等性能，將半導(dǎo)體和集成電路推向更高的頻率、更快的速度、更低的噪音和更大的功率。半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r是衡量一個(gè)國(guó)家電子信息技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志。發(fā)展半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)我國(guó)科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化、國(guó)防現(xiàn)代化和發(fā)展國(guó)民經(jīng)濟(jì)具有深遠(yuǎn)的意義。

　　MO源即高純金屬有機(jī)化合物是先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(簡(jiǎn)稱MOCVD)、金屬有機(jī)分子束外延(簡(jiǎn)稱MOMBE)等技術(shù)生長(zhǎng)半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的支撐材料。 由于MO源產(chǎn)品要求純度極高，而絕大多數(shù)MO源化合物對(duì)氧氣、水汽極其敏感，遇空氣可發(fā)生自燃，遇水可發(fā)生爆炸，且毒性大，所以MO源的研制是集極端條件下的合成制備、超純純化、超純分析、超純灌裝等于一體的高新技術(shù)。 本公司研發(fā)二十個(gè)MO源的主要品種，純度在99.9998% (5.8N) ~ 99.995% (4.5N) 之間，其中已有十二個(gè)品種通過了國(guó)家級(jí)的鑒定或驗(yàn)收，其總體質(zhì)量已處于世界同類產(chǎn)品先進(jìn)水平，部分產(chǎn)品的質(zhì)量達(dá)到世界領(lǐng)先水平。MO源專用實(shí)驗(yàn)室，其中有120m2的超凈室，用于MO源產(chǎn)品的超純純化、超凈樣品處理、超凈清洗及產(chǎn)品灌裝。自行設(shè)計(jì)和監(jiān)制了MO源合成和純化專用設(shè)備¾¾無(wú)氧無(wú)水惰性氣體操作箱。設(shè)計(jì)并監(jiān)制了性能優(yōu)越的高純MO源封裝容器。確立了MO源電感偶合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP—AES)分析法，把分析雜質(zhì)元素由國(guó)家規(guī)定的3～5種，擴(kuò)展到30種左右。配位化學(xué)純化MO源方法的應(yīng)用，使MO源純度提高到了新的水平。

　　南京大學(xué)是目前我國(guó)MO源研究和研制的主要基地，先后承擔(dān)了“七五”、“八五”、“九五”、“十五”期間國(guó)家“863”高技術(shù)發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目、“七五”、“八五”國(guó)家重點(diǎn)科技項(xiàng)目等多項(xiàng)MO源研制的國(guó)家級(jí)研究任務(wù)。

　　經(jīng)過十多年的拼搏，在MO源的合成方法、純化技術(shù)、分析方法及灌裝技術(shù)等方面都取得了可貴的經(jīng)驗(yàn)，鍛煉出一支訓(xùn)練有素的專業(yè)研究隊(duì)伍。研制開發(fā)出20多種國(guó)內(nèi)迫切需要的MO源品種，純度在99.999%—99.9999%，大部分MO源品種已經(jīng)通過了國(guó)家級(jí)的鑒定或驗(yàn)收;先后建成了多個(gè)MO源專用實(shí)驗(yàn)室，包括用于超純純化、超凈樣品處理、超凈清洗、產(chǎn)品灌裝及超純分析等的超凈室;自行設(shè)計(jì)和監(jiān)制了MO源合成和純化專用設(shè)備——無(wú)氧無(wú)水惰性氣氛操作箱;設(shè)計(jì)并監(jiān)制了性能優(yōu)越的高純MO源封裝容器。

　　南京大學(xué)的MO源研制從產(chǎn)品的合成工藝、純化技術(shù)、測(cè)試方法到封裝容器，在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。研究中心及有關(guān)課題的負(fù)責(zé)人，多次受到國(guó)家和省部級(jí)的獎(jiǎng)勵(lì)。鑒于南京大學(xué)在MO源研制方面取得的出色成績(jī)，原國(guó)家科委于1997年正式批準(zhǔn)在南京大學(xué)設(shè)立MO源研究開發(fā)的國(guó)家基地，即“國(guó)家863計(jì)劃新材料MO源研究開發(fā)中心”。

　　國(guó)家863計(jì)劃新材料MO源研究開發(fā)中心竭誠(chéng)以最新的研究成果、最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品回報(bào)社會(huì)、服務(wù)用戶，為我國(guó)光電子事業(yè)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

　　七五期間(86—90)

　　(1)高純金屬有機(jī)化合物(MO源)——三甲基鎵(5.0N)、三甲基鋁(5.0N)、三乙基鋁(5.0N)的研制(“七五”國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)項(xiàng)目)

　　(2)高純金屬有機(jī)化合物三甲基銦(5.0N)、二乙基鋅(5.0N)、三甲基銻(5.0N)的研制

　　八五期間(91—95)

　　(1)高純金屬有機(jī)化合物二乙基碲(5.5N)的研制

　　(2)高純金屬有機(jī)化合物二甲基鎘(5.5N)的研制

　　(3)金屬有機(jī)化合物——三甲基鋁(5.5N)、三甲基鎵(5.5N)的研制(“八五”國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)項(xiàng)目)

　　(4)MO源新品種的研究和開發(fā)——三乙基鎵(5.5N)、二甲基乙基銦(5.5N)、叔丁基膦(5.0N)、叔丁基胂(5.0N)(863-715-01-01-02)

　　九五期間(96—2000)

　　(1)123、052功臣用二異丙基碲與二甲基鎘的研制(國(guó)家教育部1996-1999)

　　(2)“區(qū)域電子戰(zhàn)”用亞微米級(jí)硅芯片高純液態(tài)源及二甲基二茂鎂的研制(國(guó)家教育部1998-2001)

　　(3)MO源的研究和開發(fā)(863，1996-2000)

　　十五期間(01—05)

　　(1)新型MO源研制及工藝研究(863，2001-2003)

　　(2)新型MO源研制及工藝研究(863，2003-2004)

　　(3)光纖用高純四氯化鍺研制(省科技廳，2003-2005)

　　主要MO源品種

　　名稱 分子式 縮寫 純度(%)

　　三甲基鎵 (CH3)3Ga TMGa 99.9999

　　三乙基鎵 (C2H5)3Ga TEGa 99.9998

　　三甲基銦 (CH3)3In TMIn 99.9999

　　三乙基銦 (C2H5)3In TEIn 99.9998

　　二甲基乙基銦 (CH3)2InC2H5 EDMIn 99.9998

　　溶液三甲基銦 (CH3)3In TMIn 99.9999

　　三甲基鋁 (CH3)3Al TMAl 99.9999

　　三乙基鋁 (C2H5)3Al TEAl 99.9995

　　二甲基乙基胺配鋁烷 AlH3·(NMe2Et) DMEAAl 99.9999

　　二茂鎂 (C5H5)2Mg Cp2Mg 99.9998

　　二甲基二茂鎂 (CH3C5H4)2Mg (MCp)2Mg 99.9998

　　溶液二甲基二茂鎂 (CH3C5H4)2Mg (MCp)2Mg 99.9998

　　二甲基鋅 (CH3)2Zn DMZn 99.9998

　　二乙基鋅 (C2H5)2Zn DEZn 99.9998

　　二甲基鎘 (CH3)2Cd DMCd 99.9998

　　三甲基銻 (CH3)3Sb TMSb 99.9995

　　二乙基碲 (C2H5)2Te DETe 99.9998

　　二異丙基碲 [(CH3)2CH]2Te DIPTe 99.9998

　　一甲基肼 CH3NHNH2 MMHy 99.9998

　　一乙基肼 C2H5NHNH2 MEHy 99.9998

　　1，1-二甲基肼 (CH3)2NNH2 DMHy 99.9998

　　叔丁基膦 (CH3)3CPH2 TBP 99.9998

　　叔丁基胂 (CH3)3CAsH2 TBAs 99.9998