電子信息技術是當今世界最活躍的生產力，電子信息技術的核心是半導體材料。化合物半導體微結構材料的產生與發展，是電子信息技術領域的一場革命，在理論上，引入了全新的思想和設計，在實踐上，由于其展示的優異的電學、光學和磁學等性能，將半導體和集成電路推向更高的頻率、更快的速度、更低的噪音和更大的功率。半導體微結構材料技術的發展狀況是衡量一個國家電子信息技術發展水平的重要標志。發展半導體微結構材料技術對實現我國科學技術現代化、國防現代化和發展國民經濟具有深遠的意義。

　　MO源即高純金屬有機化合物是先進的金屬有機化學氣相沉積(簡稱MOCVD)、金屬有機分子束外延(簡稱MOMBE)等技術生長半導體微結構材料的支撐材料。 由于MO源產品要求純度極高，而絕大多數MO源化合物對氧氣、水汽極其敏感，遇空氣可發生自燃，遇水可發生爆炸，且毒性大，所以MO源的研制是集極端條件下的合成制備、超純純化、超純分析、超純灌裝等于一體的高新技術。 本公司研發二十個MO源的主要品種，純度在99.9998% (5.8N) ~ 99.995% (4.5N) 之間，其中已有十二個品種通過了國家級的鑒定或驗收，其總體質量已處于世界同類產品先進水平，部分產品的質量達到世界領先水平。MO源專用實驗室，其中有120m2的超凈室，用于MO源產品的超純純化、超凈樣品處理、超凈清洗及產品灌裝。自行設計和監制了MO源合成和純化專用設備¾¾無氧無水惰性氣體操作箱。設計并監制了性能優越的高純MO源封裝容器。確立了MO源電感偶合等離子體原子發射光譜(ICP—AES)分析法，把分析雜質元素由國家規定的3～5種，擴展到30種左右。配位化學純化MO源方法的應用，使MO源純度提高到了新的水平。

　　南京大學是目前我國MO源研究和研制的主要基地，先后承擔了“七五”、“八五”、“九五”、“十五”期間國家“863”高技術發展計劃項目、“七五”、“八五”國家重點科技項目等多項MO源研制的國家級研究任務。

　　經過十多年的拼搏，在MO源的合成方法、純化技術、分析方法及灌裝技術等方面都取得了可貴的經驗，鍛煉出一支訓練有素的專業研究隊伍。研制開發出20多種國內迫切需要的MO源品種，純度在99.999%—99.9999%，大部分MO源品種已經通過了國家級的鑒定或驗收;先后建成了多個MO源專用實驗室，包括用于超純純化、超凈樣品處理、超凈清洗、產品灌裝及超純分析等的超凈室;自行設計和監制了MO源合成和純化專用設備——無氧無水惰性氣氛操作箱;設計并監制了性能優越的高純MO源封裝容器。

　　南京大學的MO源研制從產品的合成工藝、純化技術、測試方法到封裝容器，在國內處于領先地位，已達到國際先進水平。研究中心及有關課題的負責人，多次受到國家和省部級的獎勵。鑒于南京大學在MO源研制方面取得的出色成績，原國家科委于1997年正式批準在南京大學設立MO源研究開發的國家基地，即“國家863計劃新材料MO源研究開發中心”。

　　國家863計劃新材料MO源研究開發中心竭誠以最新的研究成果、最優質的產品回報社會、服務用戶，為我國光電子事業發展做出貢獻。

　　七五期間(86—90)

　　(1)高純金屬有機化合物(MO源)——三甲基鎵(5.0N)、三甲基鋁(5.0N)、三乙基鋁(5.0N)的研制(“七五”國家重點科技攻關項目)

　　(2)高純金屬有機化合物三甲基銦(5.0N)、二乙基鋅(5.0N)、三甲基銻(5.0N)的研制

　　八五期間(91—95)

　　(1)高純金屬有機化合物二乙基碲(5.5N)的研制

　　(2)高純金屬有機化合物二甲基鎘(5.5N)的研制

　　(3)金屬有機化合物——三甲基鋁(5.5N)、三甲基鎵(5.5N)的研制(“八五”國家重點科技攻關項目)

　　(4)MO源新品種的研究和開發——三乙基鎵(5.5N)、二甲基乙基銦(5.5N)、叔丁基膦(5.0N)、叔丁基胂(5.0N)(863-715-01-01-02)

　　九五期間(96—2000)

　　(1)123、052功臣用二異丙基碲與二甲基鎘的研制(國家教育部1996-1999)

　　(2)“區域電子戰”用亞微米級硅芯片高純液態源及二甲基二茂鎂的研制(國家教育部1998-2001)

　　(3)MO源的研究和開發(863，1996-2000)

　　十五期間(01—05)

　　(1)新型MO源研制及工藝研究(863，2001-2003)

　　(2)新型MO源研制及工藝研究(863，2003-2004)

　　(3)光纖用高純四氯化鍺研制(省科技廳，2003-2005)

　　主要MO源品種

　　名稱 分子式 縮寫 純度(%)

　　三甲基鎵 (CH3)3Ga TMGa 99.9999

　　三乙基鎵 (C2H5)3Ga TEGa 99.9998

　　三甲基銦 (CH3)3In TMIn 99.9999

　　三乙基銦 (C2H5)3In TEIn 99.9998

　　二甲基乙基銦 (CH3)2InC2H5 EDMIn 99.9998

　　溶液三甲基銦 (CH3)3In TMIn 99.9999

　　三甲基鋁 (CH3)3Al TMAl 99.9999

　　三乙基鋁 (C2H5)3Al TEAl 99.9995

　　二甲基乙基胺配鋁烷 AlH3·(NMe2Et) DMEAAl 99.9999

　　二茂鎂 (C5H5)2Mg Cp2Mg 99.9998

　　二甲基二茂鎂 (CH3C5H4)2Mg (MCp)2Mg 99.9998

　　溶液二甲基二茂鎂 (CH3C5H4)2Mg (MCp)2Mg 99.9998

　　二甲基鋅 (CH3)2Zn DMZn 99.9998

　　二乙基鋅 (C2H5)2Zn DEZn 99.9998

　　二甲基鎘 (CH3)2Cd DMCd 99.9998

　　三甲基銻 (CH3)3Sb TMSb 99.9995

　　二乙基碲 (C2H5)2Te DETe 99.9998

　　二異丙基碲 [(CH3)2CH]2Te DIPTe 99.9998

　　一甲基肼 CH3NHNH2 MMHy 99.9998

　　一乙基肼 C2H5NHNH2 MEHy 99.9998

　　1，1-二甲基肼 (CH3)2NNH2 DMHy 99.9998

　　叔丁基膦 (CH3)3CPH2 TBP 99.9998

　　叔丁基胂 (CH3)3CAsH2 TBAs 99.9998