我們很難想象在不久的將來，硅上GaN能代替藍寶石上GaN用于高端市場，除非有了技術突破。如果近來在開發(fā)自支撐型GaN技術能繼續(xù)進展下去，同時GaN晶片材料開始轉向大面積，那么誰還會反對在這種本征平臺上制備高功率LED呢?

　　GaN無線/射頻領域就像LED一樣，科研人員正在對幾種不同類型襯底的優(yōu)勢展開激烈的辯論，硅又一次被看作是一種促進這個市場的低價平臺。然而這個環(huán)節(jié)當中性能是成功的主要動力。

　　注重器件的性能使得SiC上GaN成為唯一的入選者，因為它是唯一能滿足市場需求的復合型材料。硅上GaN材料繼續(xù)在提升當中，對大部分國防應用來說它的增益和熱性能不夠好，并且很難見到這種類型的晶體管在性能上有所提升，使它能與最高水平的SiC上GaN晶體管匹敵。

　　圖1:IQE的GaN方案包括SiC上GaN、硅上GaN以及用來制備IQE射頻產品的藍寶石上GaN外延片。

　　當然，SiC上GaN的世界并非完全美好，有關襯底質量的問題糾纏該項技術多年了。但在過去的18個月里，通過提高材料的一致性和重復性，問題得以解決。今天SiC所遇的最大挑戰(zhàn)是成本，一塊3英寸的半絕緣(SI)SiC比Si(111)的價格要高上20倍。

　　一些供應商通過轉向更大尺寸的襯底來降低材料的成本，比如，美國襯底供應商Cree和II-VI公司首當其沖。到2010年，它們將制備出很高質量的100mm GaN晶片，并使得單位面積的成本低于3英寸的同類物質，未來人們需要支付的成本將低于這個水平。但是，這是否意味著SiC的售價將最終達到與硅等同的地步，答案不確定;還有，真的有必要這樣嗎?

　　硅上GaN的性能低劣，這也是它在許多商業(yè)的射頻應用(特別是雷達)中失利的原因。然而，硅上GaN的研究人員能否在SiC上GaN的價格下降到一定程度之前，開發(fā)出一種更具成本優(yōu)勢的硅上GaN器件，使得器件質量能突然得到提升并達到領先水平。

　　雖然我們無法弄清哪種方案更靠前，很明顯提高硅上GaN器件的性能所花的時間更長，而從成本上來說，SiC上GaN更有可能成為一個更有力的競爭者，這是規(guī)模經濟和經驗曲線進展之后的必然結果。

　　硅上GaN可能在面向新興市場的無線/射頻產品中發(fā)揮重大作用，具有適當性能的低成本器件才能隨著市場的發(fā)展應運而生。這個思路很尋常，有許多這樣的例子，低規(guī)格、高經濟效益的產品能彌補市場的空白，甚至產生或替代一個原先由高規(guī)格高成本產品主導的市場。

　　此外，未來硅上GaN在功率電子市場上的潛力巨大。在此，顛覆現(xiàn)有技術才能獲得成功，硅正在逐步地克服來自另一種新興的寬禁帶技術(SiC)的威脅。盡管硅打低價牌，而SiC對器件的高性能做出承諾，硅上SiC被認為兼具了兩者的長處。

　　在功率電子市場，雖然成本是首要因素，若只提供能降低成本的技術，并不能保證成功，這是由于從一種類型的器件轉向另一種會產生相關的經濟損耗問題。

　　因此，新的技術必須以某種形式體現(xiàn)出明確而引人注目的價值所在，比如功能獲得明顯的改良。由于硅上GaN具備了較高的效率、較小的尺寸、較強的可靠性以及長期與硅晶體管集成的可能性，它有潛力完成上述任務。

　　圖2:硅上GaN晶體管的生產成本遠比SiC上GaN的要低，即便如此，低劣的器件性能阻礙了硅上GaN晶體管向當今國防應用市場邁進。

　　Yole Developpement預測，GaN功率電子市場仍處于胚胎時期，當市場開始壯大時，它們有機會在價值35億的功率電子市場分得一杯羹。無疑，對這類器件的投資不可或缺。這里存在一個問題，就是GaN功率器件的進展是否快到足以和SiC或一種新興先進的硅技術相抗衡。

　　IQE正在繼續(xù)開發(fā)其硅上GaN、SiC上GaN以及藍寶石上GaN技術，目標是適量的生產并展開適當?shù)拈_發(fā)活動，為相關市場提供最合適的技術。

　　作者簡介

　　Bedwyr Humphreys是IQE集團GaN產品的業(yè)務發(fā)展總監(jiān)，他的電子郵箱是BHumphreys@IQEP.com。他致謝IQE射頻研發(fā)總監(jiān)Shiping Guo、IQE銷售和業(yè)務發(fā)展總監(jiān)Ivan Eliashevich，感謝他倆對這篇文章提供的幫助。