高壓發(fā)光二極管(HV LED)芯片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
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上傳人：董志江 靳彩霞等 上傳時(shí)間： 2011-06-20 瀏覽次數(shù)： 672 |
高壓發(fā)光二極管(HV LED)芯片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
通過(guò)對(duì)普通藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)、芯片微晶粒分立陣列及微晶粒間電極橋接等多種技術(shù)手段的研究，制備出正裝高壓發(fā)光二極管(HV LED)，其產(chǎn)業(yè)化光效已超過(guò)110lm/W;10μA下點(diǎn)亮沒(méi)有暗區(qū)，體現(xiàn)出良好的電流擴(kuò)展性;與傳統(tǒng)DC LED相比，P-I-V(光輸出功率-輸入電流-正向壓降)曲線趨勢(shì)一致，輸出光功率更集中且整體提高約5mW，發(fā)光效率提高約10lm/W，1000小時(shí)持續(xù)點(diǎn)亮光輸出功率衰減均小于2%，正裝HV LED具有與傳統(tǒng)功率DC LED同樣穩(wěn)定可靠的光電性能，達(dá)到同類產(chǎn)品先進(jìn)水平。
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