圖7.芯片在5mA下點(diǎn)亮的表面形貌

　　表1給出了芯片的光電性能，從表中可以看到在20mA點(diǎn)亮后，雖然粗化后的芯片正向電壓從3.3V升到3.7V，反向電流由0.01uA升至0.3uA，但是其亮度由未粗化的51mcd升高到粗化后的64mcd，經(jīng)過(guò)外延粗化后，芯片的光提取效率提高24%，其主要原因是P型GaN表面粗糙度增大，減弱光在GaN材料內(nèi)部的多次反射，折射及吸收;而芯片的正向電壓的提高可能是由于P型GaN表面粗糙度增大，同時(shí)表面透明電極較薄，導(dǎo)致透明電極的不連續(xù)性，從而影響電流的傳輸，使芯片的正向電壓有較大的提升;反向電流的提高是由于長(zhǎng)時(shí)間的高溫腐蝕可能會(huì)造成外延片局部腐蝕嚴(yán)重而產(chǎn)生漏電現(xiàn)象，因此有待于進(jìn)一步優(yōu)化腐蝕條件或者采用較厚的ITO透明電極進(jìn)行測(cè)試。

表1.芯片的光電性能參數(shù)比較

　　結(jié) 論

　　1.采用熱的85%H3PO4可以濕法粗化GaN，優(yōu)化的腐蝕條件為：溫度：195 ℃;時(shí)間：5分鐘。

　　2.由于P型GaN與N型GaN的極性差異，導(dǎo)致P型比N型GaN較難粗化。

　　3.濕法粗化后的GaN基LED芯片，亮度提高了24%，但是正向電壓從3.3V提高到3.7V，這有待于采用ITO作為透明電極進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)。

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　　作者簡(jiǎn)介:

　　王立達(dá)，1979年生，畢業(yè)于大連理工大學(xué)電化學(xué)工程專業(yè)，從事半導(dǎo)體發(fā)光二極管的研究開發(fā)工作。