襯底溫度對Al_2O_3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影響
|
上傳人：劉忠良,康朝陽,唐軍,徐彭壽 上傳時間： 2011-08-31 瀏覽次數： 62 |
| 作者 | 劉忠良,康朝陽,唐軍,徐彭壽 |
|---|---|
| 單位 | 淮北師范大學物理與電子信息學院,中國科學技術大學國家同步輻射實驗室 |
| 分類號 | O484 |
| 發表刊物 | 硅酸鹽學報 |
| 發布時間 | 2011年02期 |
SiC作為第三代寬帶隙半導體材料,具有許多優異特性,在半導體器件中有著廣泛的應用[1–4]。隨著電子技術的發展,人們對大功率器件的要求越來越高。藍寶石作為性能優良的絕緣材料,以其為襯底制作SiC半導體器件,不但能減小漏電容和增大功率,還能實現器件的高度集成。但是藍寶石……
最新評論
用戶名： 密碼：
