藍寶石襯底上GaN/Al_xGa_(1-x)N超晶格插入層對Al_xGa_(1-x)N外延薄膜應變及缺陷密度的影響
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上傳人：周緒榮,秦志新等 上傳時間： 2011-09-02 瀏覽次數： 192 |
| 作者 | 周緒榮,秦志新,魯麟,沈波,桑立雯,岑龍斌,張國義,俞大鵬,張小平 |
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| 單位 | 北京大學物理學院人工微結構和介觀物理國家重點實驗室,北京大學電子顯微鏡實驗室 |
| 分類號 | O474 |
| 發表刊物 | 發光學報 |
| 發布時間 | 2008年04期 |
引言
室溫300 K下,由于A xlGa1-xN的帶隙寬度可以從GaN的3.42 eV到A lN的6.2 eV之間變化,截止波長可以從A lN的200 nm到GaN的365nm之間連續可調。所以A lxGa1-xN是紫外光探測器和深紫外LED所必需的半導體材料。A xlGa1-xN基紫外光探測器可以用于空間探測、導彈預警等……
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